發(fā)布時間：2018-03-16 14:49

  本文選題：有機場效應晶體管　切入點：非線性輸出特性　出處：《發(fā)光學報》2017年11期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：有機場效應晶體管(Organic field effect transistor,OFET)的非線性特性是指其輸出特性曲線在較低的漏極電壓下出現(xiàn)類似于二極管的電壓電流特性曲線,這種現(xiàn)象在有機場效應晶體管的實驗研究中極為常見。Simonetti等通過引入隨柵極電壓變化的遷移率提出了模型并成功解釋了這一現(xiàn)象,但實驗中從器件轉移特性得出的遷移率通常與柵極電壓無關。本文通過引入常數(shù)遷移率對該模型進行改進,運用改進的模型研究了影響OFET非線性特性的主要因素,并對如何更加準確地獲得器件參數(shù)進行了探究。
[Abstract]:The nonlinear properties of organic field effect transistors with airfield effect transistors are the voltage-current characteristic curves of organic field effect transistors with low drain voltage. This phenomenon is very common in the experimental study of airfield effect transistors. Simonetti and others proposed a model by introducing mobility varying with gate voltage and successfully explained the phenomenon. However, the mobility obtained from the device transfer characteristics in the experiment is usually independent of the gate voltage. In this paper, the main factors affecting the nonlinear characteristics of OFET are studied by introducing the constant mobility to improve the model. And how to obtain the device parameters more accurately is discussed.
【作者單位】： 蘭州大學物理科學與技術學院微電子研究所;中國計量大學光學與電子科技學院;
【基金】：國家自然科學基金(10974074)資助項目~~
【分類號】：TN386

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本文編號：1620393