本文選題：多值RRAM　切入點：Crossbar　出處：《微電子學》2017年04期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：針對移動物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備,提出一種基于多值RRAM的快速邏輯電路,以實現(xiàn)非易失性存儲與快速邏輯運算。利用RRAM多值存儲特性,采用Crossbar結(jié)構(gòu),實現(xiàn)了簡單快速的譯碼器與高存儲密度查找表,使邏輯電路具有較快的運算速度和較小的面積�；谠摻Y(jié)構(gòu)實現(xiàn)了4位、8位和16位的乘法器,其外圍電路采用SMIC 65 nm CMOS工藝實現(xiàn),而其核心多值RRAM則采用Verilog-A模型模擬。仿真結(jié)果表明,與傳統(tǒng)CMOS邏輯電路相比,基于多值RRAM的16位乘法器的速度提高了35.7%,面積減少了14%。
[Abstract]:This paper presents a fast logic circuit based on multi-valued RRAM for mobile Internet of things devices to realize non-volatile storage and fast logic operation. Using the characteristics of RRAM multi-valued storage, a Crossbar structure is adopted. A simple and fast decoder and a high storage density lookup table are implemented. The logic circuit has a faster operation speed and a smaller area. Based on this structure, a multiplier of 4 bits and 16 bits is implemented. The peripheral circuit is realized by SMIC 65 nm CMOS process, while the core multivalued RRAM is simulated by Verilog-A model. The simulation results show that compared with the traditional CMOS logic circuit, the speed of the 16 bit multiplier based on multivalued RRAM is increased by 35.7nm and the area is reduced by 14%.
【作者單位】： 北京交通大學電子信息工程學院;中國科學院微電子研究所;
【基金】：國家自然科學基金資助項目(61474134)
【分類號】：TN791

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本文編號：1618141