本文選題：激光器　切入點：分布反饋式激光器陣列　出處：《激光與光電子學進展》2017年03期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：研究了CH_4/H_2/Cl_2感應(yīng)耦合等離子體刻蝕技術(shù)中的關(guān)鍵工藝參數(shù)對刻蝕性能的影響。通過對CH_4/H_2/Cl_2氣體流量及流量比的優(yōu)化,在自行設(shè)計的InP/InGaAlAs多量子阱結(jié)構(gòu)的外延片上,實現(xiàn)了一種高速低損耗、形貌良好的Bragg光柵制作方法�；趦�(yōu)化后的工藝參數(shù)制作了多周期結(jié)構(gòu)的λ/4相移光柵,實現(xiàn)了單片集成的四波長1.3μm分布反饋式激光器陣列。該激光器陣列中激光器的閾值電流典型值為11mA,外微分效率可達0.40 W/A,且實現(xiàn)了邊摸抑制比大于46dB的穩(wěn)定的單縱模激光輸出。研究結(jié)果表明優(yōu)化后的ICP光柵刻蝕工藝具有良好的刻蝕精度和可靠性。
[Abstract]:The influence of key process parameters on the etching performance of CH_4/H_2/Cl_2 inductively coupled plasma etching technology is studied. By optimizing the flow rate and flow ratio of CH_4/H_2/Cl_2, a self-designed InP/InGaAlAs multiquantum well structure epitaxial wafer is developed. A high speed and low loss Bragg grating with good morphology is realized. Based on the optimized process parameters, a multi-period 位 / 4 phase-shifted grating is fabricated. A monolithic integrated four-wavelength 1.3 渭 m distributed feedback laser array is implemented, in which the threshold current of the laser is 11 Ma, the external differential efficiency can reach 0.40 W / A, and the edge-groping rejection ratio is more than 46 dB. The results show that the optimized etching process of ICP grating has good etching accuracy and reliability.
【作者單位】： 北京郵電大學電子工程學院;太原理工大學信息工程學院;武漢電信器件有限公司;深圳清華大學研究院;
【基金】：國家高技術(shù)研究發(fā)展計劃(2015AA016901)
【分類號】：TN248.4

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本文編號：1614903