發(fā)布時間：2018-03-14 12:14

  本文選題：高壓IGBT　切入點：表面鈍化　出處：《電子工藝技術》2016年02期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：高壓功率半導體器件IGBT(絕緣柵雙極晶體管)的表面鈍化工藝是其芯片加工工藝的重要環(huán)節(jié),其鈍化層的質量直接影響IGBT器件的性能參數(shù)和長期可靠性。為了解決高壓IGBT的表面鈍化工藝問題,首先研究了功率半導體器件的鈍化機理,隨后調研了功率器件常用表面鈍化材料的優(yōu)缺點和國際上主流的高壓功率器件表面鈍化方案,分析總結出了適用于高壓IGBT的表面鈍化材料和表面鈍化方案,最后指出了高壓IGBT表面鈍化技術的發(fā)展趨勢和今后的研究方向。
[Abstract]:The surface passivation process of IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) is an important part of the chip processing technology. The quality of the passivation layer directly affects the performance parameters and long-term reliability of IGBT devices. In order to solve the surface passivation process of high-voltage IGBT, the passivation mechanism of power semiconductor devices is first studied. Then, the advantages and disadvantages of the surface passivating materials commonly used in power devices and the surface passivation schemes of high voltage power devices in the world are investigated, and the surface passivation materials and passivation schemes suitable for high voltage IGBT are analyzed and summarized. Finally, the development trend and future research direction of high pressure IGBT surface passivation technology are pointed out.
【作者單位】： 國網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院;
【基金】：國家電網(wǎng)科技基金項目(項目編號:5455DW150005)
【分類號】：TN322.8

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本文編號：1611158