本文選題：SiGe　切入點：HBT　出處：《原子能科學(xué)技術(shù)》2017年03期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：為研究不同偏置條件對SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)劑量率效應(yīng)的影響,采用半導(dǎo)體模擬軟件Sentaurus TCAD構(gòu)建了SiGe HBT三維數(shù)值仿真模型,研究了不同劑量率、不同偏置條件下SiGe HBT在γ瞬時輻照時各端口電流瞬變峰值隨時間的變化及Gummel特性曲線的變化。結(jié)果表明,器件各端口的電流瞬變峰值隨劑量率的增加而增加;不同端口對γ瞬時輻射響應(yīng)的最劣偏置不同。同一端口在不同偏置條件下的瞬變電流也不同:集電極瞬變電流在襯底反偏時較大,基極瞬變電流在截止偏置時較大,襯底瞬變電流在襯底反偏時較大。產(chǎn)生這些現(xiàn)象的主要原因是不同偏置條件下載流子輸運方式的變化和外加電場的影響。
[Abstract]:In order to study the effect of different bias conditions on the dose rate effect of SiGe heterojunction bipolar transistor (HBT), a three-dimensional numerical simulation model of SiGe HBT was constructed by using semiconductor simulation software Sentaurus TCAD, and different dose rates were studied. Under different bias conditions, the peak value of current transient at each port of SiGe HBT changes with time and the characteristic curve of Gummel during 緯 -instantaneous irradiation. The results show that the peak value of current transient at each port of SiGe HBT increases with the increase of dose rate. At the same port, the transient current of the same port is different under different bias conditions: the collector transient current is larger when the substrate is inversely biased, and the base electrode transient current is larger at the cut-off bias. These phenomena are mainly due to the variation of carrier transport mode under different bias conditions and the effect of external electric field.
【作者單位】： 西安交通大學(xué)能源與動力工程學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項目(11575138,61274106,61574171)
【分類號】：TN322.8

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本文編號：1607163