本文選題：FinFET　切入點：TCAD　出處：《微電子學》2017年03期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：對基于25nm FinFET結構的SRAM單粒子效應進行研究。使用Synopsys Sentaurus TCAD仿真軟件進行器件工藝校準,并對獨立3DFinFET器件以及包含F(xiàn)inFET器件和HSpice模型的混合電路(如6管SRAM單元)進行單粒子瞬態(tài)仿真。通過改變重粒子入射條件,分析影響瞬態(tài)電流峰值、脈寬、漏極翻轉閾值等參數(shù)的因素。研究發(fā)現(xiàn),混合模型中,FinFET結構器件的漏極翻轉閾值為0.023 MeV·cm2/mg,對未來基于FinFET結構的器件及電路結構的加固提出了更高的要求。
[Abstract]:The single particle effect of SRAM based on 25nm FinFET structure is studied. The device process is calibrated by Synopsys Sentaurus TCAD simulation software. Single particle transient simulation of independent 3D FinFET devices and hybrid circuits including FinFET devices and HSpice models (such as 6 transistor SRAM cells) is carried out. By changing the incident conditions of heavy particles, the effects of transient current peak and pulse width are analyzed. It is found that the drain turnover threshold is 0.023 MeV 路cm ~ 2 / mg in the hybrid model, which puts forward higher requirements for the reinforcement of the device and circuit structure based on the FinFET structure in the future.
【作者單位】： 電子科技大學電子科學技術研究院;中國電子科技集團公司第二十四研究所;
【分類號】：TN386

【參考文獻】

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【共引文獻】

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本文編號：1600033