本文選題：FinFET　切入點(diǎn)：TCAD　出處：《微電子學(xué)》2017年03期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：對基于25nm FinFET結(jié)構(gòu)的SRAM單粒子效應(yīng)進(jìn)行研究。使用Synopsys Sentaurus TCAD仿真軟件進(jìn)行器件工藝校準(zhǔn),并對獨(dú)立3DFinFET器件以及包含F(xiàn)inFET器件和HSpice模型的混合電路(如6管SRAM單元)進(jìn)行單粒子瞬態(tài)仿真。通過改變重粒子入射條件,分析影響瞬態(tài)電流峰值、脈寬、漏極翻轉(zhuǎn)閾值等參數(shù)的因素。研究發(fā)現(xiàn),混合模型中,FinFET結(jié)構(gòu)器件的漏極翻轉(zhuǎn)閾值為0.023 MeV·cm2/mg,對未來基于FinFET結(jié)構(gòu)的器件及電路結(jié)構(gòu)的加固提出了更高的要求。
[Abstract]:The single particle effect of SRAM based on 25nm FinFET structure is studied. The device process is calibrated by Synopsys Sentaurus TCAD simulation software. Single particle transient simulation of independent 3D FinFET devices and hybrid circuits including FinFET devices and HSpice models (such as 6 transistor SRAM cells) is carried out. By changing the incident conditions of heavy particles, the effects of transient current peak and pulse width are analyzed. It is found that the drain turnover threshold is 0.023 MeV 路cm ~ 2 / mg in the hybrid model, which puts forward higher requirements for the reinforcement of the device and circuit structure based on the FinFET structure in the future.
【作者單位】： 電子科技大學(xué)電子科學(xué)技術(shù)研究院;中國電子科技集團(tuán)公司第二十四研究所;
【分類號】：TN386

【參考文獻(xiàn)】

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1 侯明東,甄紅樓,張慶祥,劉杰,馬峰;重離子在半導(dǎo)體器件中引起的單粒子效應(yīng)[J];原子核物理評論;2000年03期

【共引文獻(xiàn)】

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2 逯中岳;周婉婷;;基于TCAD的SRAM單粒子效應(yīng)研究[J];半導(dǎo)體光電;2016年03期

3 杜明;鄒黎;李曉輝;邱恒功;鄧玉良;;基于TCAD模擬的Buffer單粒子效應(yīng)解析分析[J];電子器件;2014年05期

4 劉健波;劉遠(yuǎn);恩云飛;雷志鋒;王曉晗;楊元政;;集成電路單粒子瞬態(tài)效應(yīng)與測試方法[J];微電子學(xué);2014年01期

5 劉建德;孫友梅;劉杰;侯明東;張戰(zhàn)剛;段敬來;姚會軍;翟鵬飛;;Geant4模擬δ電子對單粒子翻轉(zhuǎn)的影響[J];原子核物理評論;2012年04期

6 郭紅霞;羅尹虹;姚志斌;張鳳祁;張科營;何寶平;王園明;;亞微米特征工藝尺寸靜態(tài)隨機(jī)存儲器單粒子效應(yīng)實(shí)驗(yàn)研究[J];原子能科學(xué)技術(shù);2010年12期

7 張慶祥,侯明東,劉杰;用重離子實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)推算質(zhì)子翻轉(zhuǎn)截面和軌道翻轉(zhuǎn)率[J];原子核物理評論;2003年01期

8 辛明瑞,樊曉椏,唐雪寒,高德遠(yuǎn);電子設(shè)備抗單粒子翻轉(zhuǎn)地面實(shí)驗(yàn)技術(shù)研究[J];微電子學(xué)與計(jì)算機(jī);2003年02期

【相似文獻(xiàn)】

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7 ;[J];;年期

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本文編號：1600033