本文選題：混合電路　切入點：Ku波段　出處：《微波學報》2017年04期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：采用低噪聲HEMT場效應(yīng)管和低噪聲放大器單片的混合電路形式開展Ku波段低噪聲放大器的設(shè)計。設(shè)計出的低噪聲放大器產(chǎn)品取得了很低的噪聲(噪聲系數(shù)≤1.29 d B)、較大的線性動態(tài)范圍、較小的增益帶內(nèi)起伏和尺寸等優(yōu)越性能,且在40 GHz頻率范圍內(nèi)無條件穩(wěn)定。該產(chǎn)品成功應(yīng)用于某型號裝備中,很好地提高了該裝備的信號接收能力。它也可應(yīng)用于相應(yīng)頻段的衛(wèi)星通訊、空間遙感及雷達等的接收系統(tǒng)中。
[Abstract]:The design of Ku-band low noise amplifier is carried out in the form of low noise HEMT field effect transistor and low noise amplifier monolithic circuit. The designed low noise amplifier has very low noise (noise coefficient 鈮，

本文編號：1596508