本文選題：英寸硅外延片　切入點(diǎn)：薄層外延　出處：《半導(dǎo)體技術(shù)》2017年07期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：8英寸(1英寸=2.54 cm)薄層硅外延片的不均勻性是制約晶圓芯片良率水平的瓶頸之一。研究了硅外延工藝過(guò)程中影響薄外延層厚度和電阻率均勻性的關(guān)鍵因素,在保證不均勻性小于3%的前提下,外延層厚度和電阻率形成中間低、邊緣略高的"碗狀"分布可有效提高晶圓的良率水平。通過(guò)調(diào)整生長(zhǎng)溫度和氫氣體積流量可實(shí)現(xiàn)外延層厚度的"碗狀"分布,但調(diào)整溫區(qū)幅度不得超過(guò)滑移線的溫度門檻值。通過(guò)提高邊緣溫度來(lái)提高邊緣10 mm和6 mm的電阻率,同時(shí)提高生長(zhǎng)速率以提高邊緣3 mm的電阻率,獲得外延層電阻率的"碗狀"分布,8英寸薄層硅外延片的的邊緣離散現(xiàn)象得到明顯改善,產(chǎn)品良率也有由原來(lái)的94%提升至98.5%,進(jìn)一步提升了8英寸薄層硅外延片產(chǎn)業(yè)化良率水平。
[Abstract]:The inhomogeneity of thin layer silicon wafer is one of the bottlenecks that restrict the yield of wafer chip. The key factors influencing the thickness of thin epitaxial layer and the uniformity of resistivity in silicon epitaxy process are studied. On the premise that the inhomogeneity is less than 3%, the thickness of the epitaxial layer and the formation of resistivity are low. The "bowl" distribution with slightly higher edge can effectively improve the yield level of the wafer. The "bowl" distribution of the epitaxial layer thickness can be realized by adjusting the growth temperature and the volume flow rate of hydrogen. But the amplitude of the temperature range should not exceed the temperature threshold of the slip line. The resistivity of 10 mm and 6 mm is increased by raising the temperature of the edge, and the resistivity of the edge 3 mm is increased by increasing the growth rate. The "bowl" distribution of the epitaxial layer resistivity and the edge dispersion of the 8-inch thin layer silicon epitaxial wafer have been obviously improved, and the yield of the product has also been raised from 94% to 98.5, which further improves the industrial yield of the 8-inch thin layer silicon epitaxial wafer.
【作者單位】： 河北普興電子科技股份有限公司河北省硅基外延材料工程技術(shù)研究中心;
【分類號(hào)】：TN304.054

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