本文選題：PSP-SOI　切入點：部分耗盡　出處：《集成電路應(yīng)用》2016年12期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：SOI工藝因其獨特的器件特性而被物聯(lián)網(wǎng)時代所追捧。相對精準的器件模型顯得愈加重要。這是在SOI器件特性和模型理論的基礎(chǔ)上,采用PSP-SOI(PD)模型提取了一套完整的射頻模型,并對模型進行了直流、交流、高頻小信號以及大信號非線性等方面的一系列的驗證,基本滿足各項指標要求。證明了該模型在RF SOI領(lǐng)域的有效性。
[Abstract]:The SOI process is popular in the Internet of things era because of its unique device characteristics. Relatively accurate device models are becoming more and more important. Based on the characteristics and model theory of SOI devices, a complete RF model is extracted by using the PSP-SOI PDD) model. A series of validations on DC, AC, high frequency small signal and large signal nonlinearity are carried out, which basically meet the requirements of various indexes. The validity of the model in RF SOI field is proved.
【作者單位】： 上海華虹宏力半導體制造有限公司;
【分類號】：TN305

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本文編號：1559599