本文選題：靜電放電(ESD)　切入點(diǎn)：雙向可控硅(DDSCR)　出處：《浙江大學(xué)學(xué)報(bào)(工學(xué)版)》2017年08期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：針對雙向可控硅(DDSCR)器件的靜電放電(ESD)魯棒性,提出在N阱中加入N+注入?yún)^(qū)(DDSCR_N+)和在N阱中加入P+注入?yún)^(qū)(DDSCR_P+)2種改進(jìn)型DDSCR結(jié)構(gòu),采用華潤上華0.5μm Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工藝,分別制備傳統(tǒng)DDSCR結(jié)構(gòu)以及2種改進(jìn)型DDSCR結(jié)構(gòu),通過半導(dǎo)體工藝及器件模擬工具(TCAD)進(jìn)行仿真,分析不同結(jié)構(gòu)的電流密度和ESD魯棒性差異;流片后通過傳輸線脈沖測試(TLP)方法測試不同結(jié)構(gòu)ESD防護(hù)器件特性.仿真和測試結(jié)果表明,改進(jìn)型DDSCR_N+結(jié)構(gòu)在具有和傳統(tǒng)DDSCR器件的相同的觸發(fā)和維持電壓前提下,二次擊穿電流比傳統(tǒng)的DDSCR結(jié)構(gòu)提高了160%,ESD魯棒性更強(qiáng),適用范圍更廣.
[Abstract]:Aiming at the robustness of electrostatic discharge (ESD) of bi-directional thyristor (DDSCR) devices, two kinds of improved DDSCR structures are proposed, which are to add N injected region DDSCRN into N well and to add P implanted region to N well. Two kinds of improved DDSCR structures are proposed, which are Bipolar-CMOS-DMOSBCDs (0.5 渭 m Bipolar-CMOS-DMOSCD-BCDs) process. The traditional DDSCR structure and two kinds of improved DDSCR structures are prepared respectively. The difference of current density and ESD robustness of different structures is analyzed by means of semiconductor process and device simulation tool. The characteristics of ESD protection devices with different structures are tested by the transmission line pulse test (TLP) method. The simulation and test results show that the modified DDSCR_N structure has the same trigger and maintenance voltage as the traditional DDSCR devices. Compared with the conventional DDSCR structure, the secondary breakdown current has better robustness and wider application range.
【作者單位】： 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院;中國科學(xué)院自動化研究所國家專用集成電路設(shè)計(jì)工程技術(shù)研究中心;
【分類號】：TN34

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本文編號：1557786