發(fā)布時(shí)間：2018-03-02 13:38

  本文選題：硅　切入點(diǎn)：橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)　出處：《半導(dǎo)體技術(shù)》2017年08期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：分析了工作于甚高頻(VHF)頻段的千瓦級(jí)橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)器件的輸出功率、漏極效率及功率增益等關(guān)鍵參數(shù)在設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)考慮的因素,在此基礎(chǔ)上,采用0.8μm LDMOS工藝成功研制了一款工作于VHF頻段的脈沖大功率硅LDMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(LDMOSFET)。設(shè)計(jì)了用于50~75 MHz頻帶的寬帶匹配電路。研制的器件擊穿電壓為130 V。在工作電壓為50 V,工作脈寬為1 ms,占空比為30%的工作條件下測(cè)試得到,器件的帶內(nèi)輸出功率大于1 200 W,功率增益大于20 dB,漏極效率大于65%,抗駐波比大于10∶1。
[Abstract]:The key parameters such as output power, drain efficiency and power gain of kilowatt-class transverse diffusion metal oxide semiconductor LDMOS (LDMOSs) operating in VHF VHF frequency band are analyzed. On the basis of the analysis, the key parameters such as output power, drain efficiency and power gain are considered. A pulse high power silicon LDMOS field effect transistor (LDMOSFET) working in VHF band is successfully developed by using 0.8 渭 m LDMOS process. A wide band matching circuit for 50 ~ 75 MHz band is designed. The breakdown voltage of the device is 130V and the operating voltage is 50 V. V, the working pulse width is 1 Ms, and the duty cycle is 30%. The in-band output power of the device is more than 1 200 W, the power gain is more than 20 dB, the drain efficiency is greater than 65 and the standing wave ratio is more than 10: 1.
【作者單位】： 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所;
【分類號(hào)】：TN386.1

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：1556753