本文關(guān)鍵詞： FBAR濾波器 頻率溫度系數(shù) 溫度補(bǔ)償 二氧化硅 窄帶　出處：《半導(dǎo)體技術(shù)》2017年07期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：研制了一種以SiO_2材料作為溫度補(bǔ)償層的S波段溫度補(bǔ)償型薄膜體聲波諧振器(FBAR)窄帶濾波器。研究了SiO_2層厚度對(duì)FBAR溫度漂移特性的影響,對(duì)不同厚度SiO_2層時(shí)的溫度補(bǔ)償特性進(jìn)行了仿真。仿真結(jié)果表明,當(dāng)Mo/Al N/Mo的厚度為0.15,1.35和0.15μm,SiO_2層的厚度為10 nm時(shí),FBAR的頻率溫度系數(shù)(TCF)約為3×10~(-6)/℃。采用MEMS工藝制備了溫度補(bǔ)償型FBAR濾波器芯片并進(jìn)行了測(cè)試。測(cè)試結(jié)果表明,濾波器的中心頻率為2 492 MHz,中心插損為3.74 dB,3 dB帶寬為17 MHz,相對(duì)帶寬為0.68%,在2 477和2 507 MHz處阻帶抑制分別為27.44和33.81 dBc。在三溫(常溫25℃、高溫85℃、低溫-55℃)對(duì)該濾波器的S參數(shù)進(jìn)行了測(cè)試,計(jì)算得出頻率溫度系數(shù)為5×10~(-6)/℃。與未加入溫度補(bǔ)償層的傳統(tǒng)濾波器相比,頻率溫度系數(shù)改善明顯。
[Abstract]:A S-band temperature compensated thin film bulk acoustic resonator (FBA) narrow band filter with SiO_2 material as the temperature compensation layer is developed. The influence of the thickness of SiO_2 layer on the temperature drift characteristics of FBAR is studied. The temperature compensation characteristics of different thickness SiO_2 layers are simulated. The simulation results show that, When the thickness of Mo/Al N / Mo is 0.15 渭 m 1.35 and the thickness of 0.15 渭 m SiO2 layer is 10 nm, the frequency and temperature coefficient of FBAR is about 3 脳 10 ~ (-6) / 鈩，

本文編號(hào)：1550717