本文關(guān)鍵詞： 襯底的Al化處理 MOCVD AlN 晶體質(zhì)量 應(yīng)變　出處：《人工晶體學(xué)報(bào)》2017年08期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：研究了襯底的Al化處理對(duì)采用MOCVD法在c面藍(lán)寶石襯底上高溫生長Al N外延層的影響機(jī)制。通過原位監(jiān)測監(jiān)控整個(gè)外延生長過程,同時(shí)對(duì)Al N外延層的表面形貌和晶體質(zhì)量以及應(yīng)變狀態(tài)進(jìn)行表征研究。結(jié)果表明襯底的Al化處理導(dǎo)致Al N外延層的表面更加平整但是晶體質(zhì)量下降,同時(shí)對(duì)外延層的應(yīng)變也有很明顯的影響。
[Abstract]:The mechanism of Al-N epitaxial growth on c-plane sapphire substrate by MOCVD method was studied. The whole epitaxial growth process was monitored by in-situ monitoring. At the same time, the surface morphology, crystal quality and strain state of the Al N epitaxial layer were characterized. The results show that the surface of the Al N epitaxial layer is flatter but the crystal quality is decreased due to the Al treatment of the substrate. At the same time, the strain of the epitaxial layer is also obviously affected.
【作者單位】： 公安海警學(xué)院基礎(chǔ)部;寧波市科技信息研究院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(51146005) 亞熱帶建筑科學(xué)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室開放課題項(xiàng)目(2010KA01)
【分類號(hào)】：TN304.2

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本文編號(hào)：1549575