發(fā)布時間：2018-02-27 22:38

  本文關(guān)鍵詞： GaN 微波功率器件 ADS 超寬帶 高效率　出處：《電子器件》2017年01期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：簡要介紹了第3代新型半導(dǎo)體材料GaN的特點和優(yōu)勢,基于Agilent ADS微波仿真軟件設(shè)計并實現(xiàn)了一款工作于S波段基于GaN的高效超寬帶微波功率器件。測試結(jié)果表明,該器件適用于2.7 GHz~3.5 GHz的超寬帶,連續(xù)波和脈沖制式均可工作,在飽和狀態(tài)下,輸出功率大于15 W,增益達到13 d B,漏極效率超過45%,并在管殼內(nèi)部實現(xiàn)了匹配和偏置電路,對GaN MOSFET微波功率器件小型化、超寬帶、高增益和高效率的優(yōu)異性能得以驗證和實現(xiàn)。
[Abstract]:This paper briefly introduces the characteristics and advantages of the third generation semiconductor materials GaN, Agilent ADS microwave simulation software design and implementation of a working in S band based on ultra wideband microwave power device based on GaN. Test results show that this device is suitable for 2.7 GHz~3.5 GHz ultra wideband, continuous wave and pulse system can work in. The saturated state, the output power is greater than 15 W, the gain is 13 D B, the drain efficiency of more than 45%, and in the tube shell is realized, and a bias circuit of GaN MOSFET microwave power device miniaturization, ultra wideband, validation and implementation of high gain and high efficiency to excellent performance.

【作者單位】： 西安電子工程研究所;
【基金】：江蘇博普電子科技有限責(zé)任公司項目
【分類號】：TN61

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本文編號：1544618