發(fā)布時間：2018-02-23 20:50

  本文關(guān)鍵詞： 太赫茲輻射 drude-Lorentz模型 外磁場 輻射增強(qiáng)　出處：《應(yīng)用激光》2017年05期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：為了研究在半導(dǎo)體上施加外磁場對太赫茲輻射的影響,基于drude-Lorentz模型對三種不同的半導(dǎo)體材料GaAs、InAs、InSb在不同的外磁場方向下太赫茲輻射功率的變化進(jìn)行了研究。研究結(jié)果發(fā)現(xiàn),外磁場對具有較小有效質(zhì)量和較高電子遷移率的半導(dǎo)體材料的太赫茲輻射增強(qiáng)效應(yīng)最明顯。此外,太赫茲輻射最強(qiáng)時GaAs和InAs的最佳外磁場方向是沿y軸負(fù)方向,InSb的最佳外磁場方向是在與x軸及相反方向成40°夾角的x-z平面內(nèi)。
[Abstract]:In order to study the effect of external magnetic field on terahertz radiation on semiconductor, the changes of terahertz radiation power of three different semiconductor materials, GaAs-InAs-InSb, under different directions of external magnetic field were studied based on drude-Lorentz model. The terahertz radiation enhancement effect of external magnetic field on semiconductor materials with small effective mass and high electron mobility is most obvious. When terahertz radiation is strongest, the optimum external magnetic field direction of GaAs and InAs is the x-z plane with 40 擄angle with x axis and opposite direction along the negative direction of y axis.
【作者單位】： 湖北第二師范學(xué)院物理與機(jī)電工程學(xué)院;華中科技大學(xué)光學(xué)與電子信息學(xué)院;天津大學(xué)精密儀器與光電子工程學(xué)院;
【基金】：湖北省教育廳中青年人才資助項目(項目編號:Q20163001)
【分類號】：O441;TN304

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本文編號：1527569