本文關(guān)鍵詞： 碳化硅 功率器件 金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 阻斷電壓 通態(tài)電阻　出處：《西安郵電大學(xué)學(xué)報(bào)》2016年04期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：基于近20年的研發(fā),寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)的金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFETs)的制備工藝逐步成熟,性能不斷提高,已有SiC MOSFETs產(chǎn)品進(jìn)入市場,故綜述雙注入MOSFETs(DMOSFETs)和溝槽MOSFETs(UMOSFETs)兩種結(jié)構(gòu)的SiC MOSFETs的研究進(jìn)展和發(fā)展趨勢,并介紹SiC MOSFETs器件制備的關(guān)鍵工藝和目前推出SiC MOSFET產(chǎn)品的公司及其產(chǎn)品性能。
[Abstract]:Based on the recent 20 years' research and development, the preparation process of metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFETs) with wide band gap semiconductor silicon carbide (sic) has been gradually matured and its performance has been improved. SiC MOSFETs products have entered the market. This paper reviews the research progress and development trend of SiC MOSFETs with dual injection MOSFETs (DMOSFETs) and grooves MOSFETs (UMOSFETs), and introduces the key processes for the fabrication of SiC MOSFETs devices, as well as the companies that have launched SiC MOSFET products at present and their product properties.
【作者單位】： 國家國防科技工業(yè)局協(xié)作配套中心;中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體材料科學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目(61334002)
【分類號】：TN386

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前1條

1 高玉民;非對稱晶閘管的阻斷電壓[J];西安理工大學(xué)學(xué)報(bào);1995年01期

，

本文編號：1526576