本文關(guān)鍵詞： 摻雜 高壓 帶隙 第一性原理　出處：《四川大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版)》2017年05期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：采用基于密度泛函理論的贗勢(shì)平面波方法研究了金屬元素Mg摻雜GaN的結(jié)構(gòu)及電子結(jié)構(gòu)性質(zhì).計(jì)算金屬M(fèi)g分別替換Ga和N原子后體系的結(jié)合能,得到Mg原子更容易替換Ga原子,與他人的結(jié)果一致.摻雜后晶格常數(shù)a和c反而略有增大,并且高壓下的情況是類似的.Mg摻雜后GaN電子結(jié)構(gòu)顯示摻雜使得GaN帶隙略有增加,壓強(qiáng)從0增加到20GPa,摻雜前后帶隙值分別增大約39.1%和38.4%.
[Abstract]:The structure and electronic properties of metal element mg doped GaN are studied by using the pseudopotential plane wave method based on density functional theory. The binding energy of the system after mg is replaced by Ga and N atoms respectively is calculated, and it is found that mg atoms can replace Ga atoms more easily. The lattice constants a and c increase slightly after doping, and at high pressure, the electronic structure of GaN after doping with. Mg shows that the band gap of GaN increases slightly after doping. When the pressure increases from 0 to 20 GPA, the band gap increases by about 39.1% and 38.4 respectively before and after doping.
【作者單位】： 河南理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;攀枝花學(xué)院材料工程學(xué)院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(11404099) 河南理工大學(xué)杰出青年基金(J2014-05)
【分類號(hào)】：TN304

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本文編號(hào)：1516888