本文關(guān)鍵詞： 薄膜晶體管 器件模型 溫度特性 自熱效應(yīng) 串聯(lián)電阻效應(yīng)　出處：《華南理工大學(xué)》2015年碩士論文　論文類型：學(xué)位論文

【摘要】：薄膜晶體管(TFT)是平板顯示技術(shù)中的核心器件。像素及其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)需要調(diào)用合理的器件模型。高效和精準(zhǔn)的器件模型有利于準(zhǔn)確地預(yù)測電路的性能。電流模型是器件模型的核心,本文針對(duì)三種不同類型的薄膜晶體管電流模型的高階效應(yīng)進(jìn)行研究,主要內(nèi)容有:有機(jī)TFT的特點(diǎn)在于其制造成本最低,在柔性顯示領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用前景。環(huán)境溫度對(duì)有機(jī)TFT的影響較大。本文在解析計(jì)算表面勢的基礎(chǔ)上,建立了電流模型表征了有機(jī)TFT的溫度特性。多晶硅TFT的特點(diǎn)在于其驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng),在小尺寸高清顯示領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。但器件工作時(shí)功耗較大,自身溫度升高后出現(xiàn)自熱效應(yīng),表現(xiàn)為器件工作在飽和區(qū)時(shí),輸出特性出現(xiàn)隨漏壓升高而降低。通過分析多晶硅TFT閾值電壓和遷移率隨溫度的變化關(guān)系,建立了解析的包含自熱效應(yīng)的多晶硅TFT電流模型。非晶硅TFT的特點(diǎn)在于大面積均勻性好,在大尺寸顯示領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。串聯(lián)電阻效應(yīng)在非晶硅TFT中十分常見。本文基于非晶硅TFT中載流子為常數(shù),考慮串聯(lián)電阻隨柵壓的變化,建立了解析的電流模型。另外,基于熱場發(fā)射機(jī)制,給出了一個(gè)泄漏電流模型。綜上所述,本文對(duì)有機(jī)TFT建立了基于表面勢的解析電流模型,表征了電流的溫度特性;對(duì)多晶硅TFT電流的自熱效應(yīng)建立了基于閾值電壓的解析模型;對(duì)非晶硅TFT中的串聯(lián)電阻效應(yīng)和泄漏電流建立了解析的模型。
[Abstract]:Thin film transistor (TFT). The design of pixel and its driving circuit needs to call reasonable device model. Efficient and accurate device model is helpful to accurately predict the performance of the circuit. The current model is the device model. The core. In this paper, the high order effects of three different kinds of thin film transistor current models are studied. The main contents are as follows: organic TFT is characterized by its lowest manufacturing cost. It has an important application prospect in the field of flexible display. The influence of ambient temperature on organic TFT is great. In this paper, the surface potential is calculated analytically. The current model is established to characterize the temperature characteristics of organic TFT. The characteristic of polysilicon TFT is that it has strong driving ability and is widely used in the field of small size high-definition display. However, the power consumption of the device is high when it works. The self-heating effect occurs after the increase of the temperature, which shows that the output characteristic decreases with the increase of leakage voltage when the device works in the saturation region. The relationship between the threshold voltage and mobility of polysilicon TFT with temperature is analyzed. An analytical polysilicon TFT current model with autothermal effect is established. The characteristics of amorphous silicon TFT are good uniformity in large area. Series resistance effect is very common in amorphous silicon TFT. Based on the carrier constant in amorphous silicon TFT, the variation of series resistance with gate voltage is considered in this paper. In addition, based on the thermal field emission mechanism, a leakage current model is presented. In summary, an analytical current model based on surface potential for organic TFT is established in this paper. The temperature characteristics of the current are characterized. An analytical model based on threshold voltage is established for the self-heating effect of polysilicon TFT current. An analytical model of series resistance effect and leakage current in amorphous silicon TFT is established.
【學(xué)位授予單位】：華南理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號(hào)】：TN321.5

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本文編號(hào)：1490325