本文關(guān)鍵詞： MoS薄膜 原子層沉積 生長(zhǎng)溫度 晶體結(jié)構(gòu)　出處：《東南大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版)》2017年05期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：選擇MoCl_5和H_2S作為前軀體,Si和Al_2O_3作為基底,利用原子層沉積制備高質(zhì)量的MoS_2薄膜.利用X射線能譜儀,對(duì)在溫度450~490℃下所生長(zhǎng)的薄膜進(jìn)行分析,分析結(jié)果表明,氧化鋁更適合薄膜的生長(zhǎng),460℃是最佳的生長(zhǎng)溫度.利用掃描電子顯微鏡、X射線衍射儀、拉曼光譜和透射電子顯微鏡對(duì)所生長(zhǎng)薄膜的形態(tài)和晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行研究.結(jié)果表明,所生長(zhǎng)的薄膜厚度均勻一致,100個(gè)循環(huán)后,薄膜厚度約為20 nm,薄膜的平均生長(zhǎng)率為0.2 nm,表面成花瓣片狀結(jié)構(gòu).所生長(zhǎng)的2H-MoS_2薄膜,其(002)晶面平行于基底,(002)、(100)、(110)晶面的間距分別為0.62,0.28和0.17 nm,具有完美的六方晶體結(jié)構(gòu).
[Abstract]:MoCl_5 and H2S were selected as precursors, Si and Al_2O_3 were used as substrates, high quality MoS_2 thin films were prepared by atomic layer deposition, and X-ray energy spectrometer was used. The films grown at 450 ~ 490 鈩，

本文編號(hào)：1490206