硫族半導(dǎo)體納米晶的合成及其性質(zhì)研究
本文關(guān)鍵詞: 納米晶 形貌 尺寸 熒光 出處:《吉林大學(xué)》2015年碩士論文 論文類型:學(xué)位論文
【摘要】:本文采用溶膠-凝膠法在希萊克系統(tǒng)(Schlenk line)中合成硫族半導(dǎo)體納米晶,包括PbSe、Ag2S、CuAgS和CuAgSe納米晶。分別考察了前驅(qū)物、溫度和反應(yīng)時(shí)間等化學(xué)參數(shù)對(duì)硫族半導(dǎo)體納米晶尺寸及形貌的影響。 分別以PbO和Pb(Ac)2為鉛源,調(diào)控化學(xué)反應(yīng)參數(shù),制備出形貌不同的PbSe納米晶。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明當(dāng)反應(yīng)中存在不同鏈長(zhǎng)的配體時(shí),在空間位阻的作用下,使得納米晶產(chǎn)生導(dǎo)向吸附而形成納米花。由于PbSe本身的晶體特性,隨著反應(yīng)時(shí)間的延長(zhǎng)和反應(yīng)溫度的升高,所有形貌的PbSe納米晶最終都將演化成立方塊狀的PbSe納米晶。 半導(dǎo)體納米材料Ag2S因其近紅外發(fā)光特性也同樣備受人們關(guān)注。我們采用一種成熟的合成方法制備了Ag2S熒光量子點(diǎn),但其發(fā)光可調(diào)范圍非常小,熒光峰位幾乎不隨尺寸的變化而移動(dòng)。因此,我們借助高壓實(shí)技術(shù),采用高壓頂砧裝置,發(fā)現(xiàn)Ag2S量子點(diǎn)的熒光峰位可以從1200nm移動(dòng)至1900nm,并發(fā)現(xiàn)其相變壓力點(diǎn)約為5GPa。 在合成Ag2S納米晶的基礎(chǔ)上,,引入Cu2+,我們首次成功地制備出了尺寸均一,具有高單分散性的正交相CuAgS納米晶。大量實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),通過(guò)改變Ag2S納米晶的尺寸大小,可以制備出尺寸可調(diào)的CuAgS納米晶。采用相同的生長(zhǎng)機(jī)制,我們進(jìn)一步制備出尺寸均一的正交晶相的CuAgSe納米晶。
[Abstract]:Sulfur semiconductor nanocrystals, including PbSeSe Ag2S, were synthesized by sol-gel method in Schlenk line. The effects of precursor, temperature and reaction time on the size and morphology of sulfur semiconductor nanocrystals were investigated by CuAgS and CuAgSe nanocrystals. Using PbO and Pb(Ac)2 as lead sources, different morphologies of PbSe nanocrystals were prepared by adjusting the chemical reaction parameters. The experimental results showed that the ligand with different chain length existed in the reaction. Under the action of steric hindrance, nanocrystalline nanorods were formed by oriented adsorption. Due to the crystal properties of PbSe, the reaction time and reaction temperature increased with the prolongation of reaction time. All morphologies of PbSe nanocrystals will eventually evolve into cubic PbSe nanocrystals. Semiconductor nanocrystalline Ag2S has attracted much attention because of its near infrared luminescence properties. We prepared Ag2S fluorescent quantum dots by a mature synthesis method, but its luminescence range is very small. The fluorescence peak position almost does not move with the change of the size. Therefore, we use the high pressure anvil device with the help of the high pressure solid technology. It is found that the fluorescence peak of Ag2S quantum dots can be shifted from 1200 nm to 1900 nm, and the phase transition pressure point is about 5 GPA. On the basis of the synthesis of Ag2S nanocrystals and the introduction of Cu2, we successfully prepared the CuAgS nanocrystals with uniform size and high monodispersity for the first time. By changing the size of Ag2S nanocrystals, CuAgS nanocrystals with adjustable size can be prepared by the same growth mechanism. CuAgSe nanocrystals with uniform size orthogonal phase were further prepared.
【學(xué)位授予單位】:吉林大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2015
【分類號(hào)】:TN304;TB383.1
【共引文獻(xiàn)】
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本文編號(hào):1483252
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