發(fā)布時間：2018-01-28 09:25

  本文關(guān)鍵詞： 并網(wǎng)系統(tǒng) IGBT模塊 MATLAB/Simulink ANSYS 溫度場分布　出處：《電子技術(shù)應(yīng)用》2017年03期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：溫度影響著絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊的可靠性,采用傳統(tǒng)的功電熱耦合仿真模型只能測得IGBT模塊離線情況下的一個結(jié)溫,不能獲得實際工況下芯片表面的溫度場分布。在傳統(tǒng)功率循環(huán)試驗仿真的基礎(chǔ)上進行改進,考慮到IGBT關(guān)斷過程中的電壓緩變,將該電壓作為載荷,利用數(shù)值仿真軟件ANSYS熱分析環(huán)境,采用有限元分析方法得到模塊溫度場分布圖,分析了溫度場分布特征,可知溫度較高區(qū)域出現(xiàn)在有源區(qū)的四周邊沿處,這同以前的實驗結(jié)果一致,證明仿真模型的正確性。以上分析對研究IGBT模塊的可靠性和模塊在線監(jiān)測具有一定的指導(dǎo)意義。
[Abstract]:Temperature affects the reliability of insulated gate bipolar transistor (IGBT) module. Using the traditional power-electro-thermal coupling simulation model, only one junction temperature can be measured when the IGBT module is off-line. The temperature field distribution on the chip surface can not be obtained under the actual working conditions. Based on the traditional power cycle test simulation, the voltage is considered as the load when the voltage is slowly changing in the IGBT turn-off process. Using the numerical simulation software ANSYS thermal analysis environment, the finite element analysis method is used to obtain the temperature field distribution diagram of the module, and the temperature field distribution characteristics are analyzed. It can be seen that the higher temperature region appears at the edge of the active region, which is consistent with the previous experimental results. It is proved that the simulation model is correct. The above analysis has certain guiding significance to study the reliability of IGBT module and the on-line monitoring of the module.
【作者單位】： 上海電力學(xué)院電子與信息工程學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金項目(61107081) 上海市地方能力建設(shè)項目(15110500900,14110500900)
【分類號】：TN322.8
【正文快照】： 0引言 絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)模塊作為中壓、大功率典型的變流器件,在能源并網(wǎng)系統(tǒng)中的使用非常廣泛。研究IGBT的可靠性為研究變流裝置的可靠性乃至能源并網(wǎng)系統(tǒng)的可靠性都有非常重要的意義[1]。溫度是IGBT模塊最重要的參數(shù),它不僅影響

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本文編號：1470381