發(fā)布時間：2018-01-28 05:43

  本文關鍵詞： VDMOS 二階最小二乘 壽命分布　出處：《數(shù)學的實踐與認識》2017年07期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：依據(jù)VDMOS可靠性實驗獲得的性能指標退化數(shù)據(jù),選擇導通阻抗作為表征VDMOS性能退化的關鍵指標,用二階最小二乘估計的方法擬合了VDMOS關鍵性能指標退化數(shù)據(jù)的回歸曲線.以該性能指標的相對增量(初始值的20%)為閾值,給出了VDMOS的偽壽命估計.然后基于獲得的偽壽命數(shù)據(jù),在VDMOS壽命服從Weibull分布的假設下,研究并估計了該分布的形狀參數(shù)與尺度參數(shù).最后結合W統(tǒng)計量對該假設進行了檢驗,進一步說明了Weibull分布假設的合理性.
[Abstract]:According to the degradation data of VDMOS reliability test, the on-impedance is selected as the key index to characterize the performance degradation of VDMOS. The regression curve of the degradation data of VDMOS key performance index is fitted by using the second-order least square estimation method. The relative increment of the performance index (20 of the initial value) is taken as the threshold. The pseudo-life estimation of VDMOS is given, and then based on the obtained pseudo-life data, under the assumption that the VDMOS service life is distributed from Weibull. The shape parameters and scale parameters of the distribution are studied and estimated. Finally, the hypothesis is tested with W statistics, and the rationality of the hypothesis of Weibull distribution is further demonstrated.
【作者單位】： 北京理工大學數(shù)學與統(tǒng)計學院;
【基金】：國家自然科學基金聯(lián)合基金資助(U1430125)
【分類號】：TN386
【正文快照】： 1引言隨著制造技術的發(fā)展和對產(chǎn)品質(zhì)量的重視,現(xiàn)代產(chǎn)品的可靠性越來越高,產(chǎn)品壽命也越來越長.以功率VDMOS器件為例,其具有開關速度快、可靠性高的特點,被廣泛應用于固態(tài)功率控制器、自動控制系統(tǒng)等航空航天設備中.由于航空航天領域?qū)Ξa(chǎn)品的可靠性有著非常高的要求,因此,對VDMO

【參考文獻】

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【共引文獻】

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本文編號：1469934