本文關鍵詞： 快恢復二極管(FRD) 外延 滑移線 電阻率 不均勻性 緩沖層　出處：《半導體技術》2017年02期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：1 200 V快恢復二極管(FRD)器件用200 mm外延片由于直徑較大、外延層較厚(約130μm)以及電阻率較高(約60Ω·cm),外延層滑移線、電阻率不均勻性和緩沖層過渡區(qū)不易控制。通過在水平板式爐上進行工藝優(yōu)化實驗,采用900℃恒溫工藝,外延層滑移線總長由原來的約90 mm降低至約15 mm。采用氫氣變流量趕氣工藝,外延層電阻率不均勻性由原來的約5%提升至小于3%。緩沖層結構生長之前,預生長本征覆蓋層(帽層)可以降低緩沖層的過渡區(qū)寬度,由10μm降低至5μm,改善了緩沖層的有效厚度,同時也可以降低緩沖層的電阻率不均勻性,由2.5%降低至1.1%。以上措施的實施,滿足了1 200 V FRD器件的材料指標要求,外延片出貨量大幅度增加,提升了產(chǎn)業(yè)化水平。
[Abstract]:Because of the larger diameter, the epitaxial layer is thicker (about 130 渭 m) and the resistivity is higher (about 60 惟 路cm). The slip line of epitaxial layer, the inhomogeneity of resistivity and the transition zone of buffer layer are difficult to control. The total length of slip line of epitaxial layer is reduced from about 90 mm to about 15 mm. The resistivity inhomogeneity of the epitaxial layer is increased from about 5% to less than 3. Before the buffer layer structure grows, the pre-growth intrinsic layer (cap layer) can reduce the width of the buffer layer transition zone. The effective thickness of buffer layer is improved from 10 渭 m to 5 渭 m, and the inhomogeneity of resistivity of buffer layer is reduced from 2.5% to 1.1. The material requirement of 1 200V FRD device is satisfied, and the output quantity of the epitaxial wafer is increased greatly, and the industrialization level is improved.
【作者單位】： 河北普興電子科技股份有限公司河北省硅基外延材料工程技術研究中心;
【分類號】：TN304.054
【正文快照】： 0引言隨著絕緣柵雙極晶體管(insulated gate bipolartransistor,IGBT)、垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管(vertical double diffused metal oxidesemiconductor field-effect transistor,VDMOSFET)等大功率器件的廣泛應用,與之配套的快恢復二極管(fast recovery diode,

【相似文獻】

相關期刊論文 前7條

1 劉玉嶺;史玉奎;;硅外延片滑移線產(chǎn)生因素的試驗研究[J];河北工學院學報;1985年04期

2 劉玉嶺,史玉奎;硅外延片滑移線產(chǎn)生因素的試驗研究[J];半導體技術;1986年02期

3 張靜武;鄭煬曾;劉文昌;;超導裝置用鋼的晶內(nèi)滑移線電子顯微分析[J];電子顯微學報;1993年02期

4 吳建生;陳賢芬;林棟梁;;單晶和雙晶鈮變形后的表面形貌觀察——用掃描電鏡觀察滑移線和滑移臺階的研究方法[J];電子顯微學報;1986年03期

5 左風麗,莫則堯,張寶琳;共享存儲環(huán)境下二維彈塑性流體動力學程序滑移線的并行計算[J];數(shù)值計算與計算機應用;2002年04期

6 席奎德;星狀結構對集成電路管芯成品率的影響及其控制措施[J];半導體技術;1982年06期

7 ;[J];;年期

相關會議論文 前4條

1 吳建生;陳賢芬;林棟梁;;單晶和雙晶鈮變形后的表面形貌觀察——用掃描電鏡觀察滑移線和滑移臺階的研究方法[A];第四次全國電子顯微學會議論文摘要集[C];1986年

2 張靜武;鄭煬曾;劉文昌;;超導裝置用鋼的晶內(nèi)滑移線電子顯微分析[A];第七次全國電子顯微學會議論文摘要集[C];1993年

3 侯紅亮;李繼貞;李志強;任學平;;可壓縮材料平面應變滑移線速度方程及速度間斷[A];制造業(yè)與未來中國——2002年中國機械工程學會年會論文集[C];2002年

4 侯紅亮;李繼貞;李志強;任學平;;可壓縮材料平面應變滑移線速度方程及速度間斷[A];第八屆全國塑性加工學術年會論文集[C];2002年

相關碩士學位論文 前1條

1 Soomro Feroz Ahmed（蘇莫）;[D];南京大學;2015年

，

本文編號：1466307