本文關(guān)鍵詞： 快恢復(fù)二極管(FRD) 外延 滑移線 電阻率 不均勻性 緩沖層　出處：《半導(dǎo)體技術(shù)》2017年02期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：1 200 V快恢復(fù)二極管(FRD)器件用200 mm外延片由于直徑較大、外延層較厚(約130μm)以及電阻率較高(約60Ω·cm),外延層滑移線、電阻率不均勻性和緩沖層過(guò)渡區(qū)不易控制。通過(guò)在水平板式爐上進(jìn)行工藝優(yōu)化實(shí)驗(yàn),采用900℃恒溫工藝,外延層滑移線總長(zhǎng)由原來(lái)的約90 mm降低至約15 mm。采用氫氣變流量趕氣工藝,外延層電阻率不均勻性由原來(lái)的約5%提升至小于3%。緩沖層結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)之前,預(yù)生長(zhǎng)本征覆蓋層(帽層)可以降低緩沖層的過(guò)渡區(qū)寬度,由10μm降低至5μm,改善了緩沖層的有效厚度,同時(shí)也可以降低緩沖層的電阻率不均勻性,由2.5%降低至1.1%。以上措施的實(shí)施,滿足了1 200 V FRD器件的材料指標(biāo)要求,外延片出貨量大幅度增加,提升了產(chǎn)業(yè)化水平。
[Abstract]:Because of the larger diameter, the epitaxial layer is thicker (about 130 渭 m) and the resistivity is higher (about 60 惟 路cm). The slip line of epitaxial layer, the inhomogeneity of resistivity and the transition zone of buffer layer are difficult to control. The total length of slip line of epitaxial layer is reduced from about 90 mm to about 15 mm. The resistivity inhomogeneity of the epitaxial layer is increased from about 5% to less than 3. Before the buffer layer structure grows, the pre-growth intrinsic layer (cap layer) can reduce the width of the buffer layer transition zone. The effective thickness of buffer layer is improved from 10 渭 m to 5 渭 m, and the inhomogeneity of resistivity of buffer layer is reduced from 2.5% to 1.1. The material requirement of 1 200V FRD device is satisfied, and the output quantity of the epitaxial wafer is increased greatly, and the industrialization level is improved.
【作者單位】： 河北普興電子科技股份有限公司河北省硅基外延材料工程技術(shù)研究中心;
【分類號(hào)】：TN304.054
【正文快照】： 0引言隨著絕緣柵雙極晶體管(insulated gate bipolartransistor,IGBT)、垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(vertical double diffused metal oxidesemiconductor field-effect transistor,VDMOSFET)等大功率器件的廣泛應(yīng)用,與之配套的快恢復(fù)二極管(fast recovery diode,

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本文編號(hào)：1466307