本文關(guān)鍵詞： 超寬帶 片上巴倫 仿真 HFSS S參數(shù)　出處：《微電子學(xué)》2016年06期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：采用0.18μm GeSi BiCMOS工藝,通過(guò)調(diào)節(jié)中心抽頭位置、設(shè)計(jì)八邊形螺旋電感、添加屏蔽層、優(yōu)化線圈外徑與金屬線寬等方法,設(shè)計(jì)了一種平衡性好、插入損耗小的片上巴倫。創(chuàng)新性地在HFSS模型中引入GSG焊盤,避免了去嵌入處理的復(fù)雜計(jì)算與計(jì)算誤差。仿真結(jié)果表明:在500 MHz頻率處,電路的插入損耗為3.5dB,幅度不平衡度為0.13dB,相位不平衡度為0.38°;在4GHz頻率處,插入損耗為1.8dB,幅度不平衡度為1.62dB,相位不平衡度為2.85°。對(duì)樣品的S參數(shù)幅度及相位進(jìn)行測(cè)試,實(shí)測(cè)結(jié)果與仿真值吻合。該巴倫可應(yīng)用于500 MHz~4GHz的超寬帶正交調(diào)制器中,具有較好的應(yīng)用前景。
[Abstract]:Using 0.18 渭 m GeSi BiCMOS process, the octagonal spiral inductor is designed by adjusting the center tap position, the shielding layer is added, and the coil outer diameter and metal linewidth are optimized. A kind of on-chip Barron with good balance and low insertion loss is designed. The GSG pad is introduced into the HFSS model innovatively. The simulation results show that the insertion loss is 3.5 dB and the amplitude unbalance is 0.13 dB at 500 MHz frequency. The phase unbalance is 0.38 擄; At the frequency of 4GHz, the insertion loss is 1.8 dB, the amplitude unbalance is 1.62 dB, and the phase unbalance is 2.85 擄. The S parameter amplitude and phase of the sample are measured. The measured results are in good agreement with the simulation results. The Barron can be used in 500 MHz~4GHz UWB quadrature modulator and has a good application prospect.
【作者單位】： 成都振芯科技股份有限公司;電子科技大學(xué)微電子與固體電子學(xué)院;
【分類號(hào)】：TN761
【正文快照】： 1引言電感與巴倫是射頻電路中非常重要的無(wú)源器件。片上電感的結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單,對(duì)其理論研究較為深入[1,2],各種工藝提供了類型多樣的片上電感供設(shè)計(jì)者使用。巴倫是一種可以實(shí)現(xiàn)單端與差分相互轉(zhuǎn)換的無(wú)源器件[3,4]。集成在片上的巴倫存在很多寄生效應(yīng),對(duì)其研究不像電感那樣深入,

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本文編號(hào)：1457269