本文關(guān)鍵詞： 微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS) 硅單晶 各向異性腐蝕 氧雜質(zhì)濃度 微缺陷 氧沉淀　出處：《微納電子技術(shù)》2017年10期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：為了滿足微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)器件制作要求,各向異性腐蝕加工后的硅襯底需具有良好的表面質(zhì)量。針對(duì)MEMS用硅單晶在各向異性腐蝕加工過程中出現(xiàn)的腐蝕表面粗糙、不平整問題,采用常規(guī)直拉(Cz)單晶、摻鍺直拉單晶和磁場(chǎng)直拉單晶等不同工藝制備了多種硅單晶樣品,并測(cè)試了其常規(guī)電參數(shù)、氧雜質(zhì)濃度和微缺陷等參數(shù)。針對(duì)各種硅單晶樣品,模擬了器件制作過程中各向異性腐蝕實(shí)驗(yàn),獲得了硅單晶的腐蝕表面情況,對(duì)比得出了影響硅單晶各向異性腐蝕質(zhì)量的關(guān)鍵因素在于硅單晶內(nèi)的氧雜質(zhì)濃度及氧沉淀密度的控制,并從原子表面能和應(yīng)力等方面推斷晶體中氧沉淀缺陷對(duì)各向異性腐蝕質(zhì)量的影響機(jī)理。
[Abstract]:In order to meet the requirements of MEMS device fabrication. The silicon substrate fabricated by anisotropic etching should have good surface quality. The corrosion surface of silicon single crystal used in MEMS during anisotropic etching process is rough and uneven. Various silicon single crystal samples were prepared by conventional Czochralski single crystal, germanium doped Czochralski single crystal and magnetic Czochralski single crystal, and their conventional electrical parameters were measured. Based on the parameters of oxygen impurity concentration and microdefects, the anisotropic corrosion experiments in the fabrication process of silicon single crystals were simulated, and the corrosion surface conditions of silicon single crystals were obtained. The key factors affecting the anisotropic corrosion quality of silicon single crystal are the control of oxygen impurity concentration and oxygen precipitation density. The influence mechanism of oxygen deposition defects on anisotropic corrosion quality was deduced from atomic surface energy and stress.
【作者單位】： 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所;
【分類號(hào)】：TN304.12
【正文快照】： 性腐蝕質(zhì)量。0　引　言本文針對(duì)硅襯底片在各向異性腐蝕后出現(xiàn)表面微電子機(jī)械系統(tǒng)(粗糙的問題,研究了不同單晶拉制條件對(duì)單晶電參MEMS)是半導(dǎo)體微機(jī)械加工和各類傳感器加工制造的重要研究領(lǐng)域之?dāng)?shù)及缺陷參數(shù)的影響,并模擬MEMS器件制作的一[1-3]。在各向異性腐蝕實(shí)驗(yàn),分析并得

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