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溶液法氧化物薄膜晶體管的印刷制備

發(fā)布時間:2018-01-18 03:28

  本文關(guān)鍵詞:溶液法氧化物薄膜晶體管的印刷制備 出處:《液晶與顯示》2017年06期  論文類型:期刊論文


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【摘要】:溶液法印刷制備電子器件因具有綠色環(huán)保、低成本、流程簡單、柔性好和適應性強等優(yōu)良特性,受到世界各個國家的重視,尤其高性能薄膜晶體管是平板顯示和消費電子行業(yè)的基石,更成為了研究的熱點。本文綜述了基于溶液法氧化物薄膜晶體管印刷制備的最新研究進展,詳細討論了印刷氧化物薄膜晶體管結(jié)構(gòu)優(yōu)化、半導體層材料、電極層材料和絕緣層材料以及相關(guān)前驅(qū)體選擇等,指出了提升器件性能的關(guān)鍵,明確了器件后處理與穩(wěn)定性的關(guān)系。最后,本文總結(jié)了氧化物薄膜晶體管在印刷制備和應用過程中存在的問題以及發(fā)展前景。
[Abstract]:Due to its advantages of green environmental protection, low cost, simple flow, good flexibility and strong adaptability, solution printing has attracted much attention from all countries in the world. In particular, high performance thin film transistors are the cornerstone of flat panel display and consumer electronics industry, and have become the focus of research. In this paper, the latest research progress of oxide thin film transistor printing based on solution method is reviewed. The structure optimization of printed oxide thin film transistors, semiconductor layer materials, electrode layer materials and insulating layer materials, as well as the selection of related precursors are discussed in detail. The key to improve the performance of the devices is pointed out. The relationship between post-processing and stability is clarified. Finally, the problems and development prospects of oxide thin film transistors in the process of printing, fabrication and application are summarized.
【作者單位】: 華南理工大學高分子光電材料與器件研究所發(fā)光材料與器件國家重點實驗室材料科學與工程學院;
【基金】:國家自然科學基金重大集成項目(No.U1601651) 國家重點基礎(chǔ)研究發(fā)展規(guī)劃項目計劃(No.2015CB655004) 國家重點研發(fā)計劃專項項目(No.2016YFB0401504;No.2016YFF0203603) 廣東省自然科學基金資助項目(2016A030313459) 廣東省科技計劃項目(No.2014B090915004;No.2015B090914003;No.2016A040403037;No.2016B090907001;No.2016B090906002) 中央高;究蒲袠I(yè)務(wù)費專項資金(No.2015ZP024;No.2015ZZ063)~~
【分類號】:TN321.5
【正文快照】: 據(jù)柵極,可分為底柵和頂柵結(jié)構(gòu);根據(jù)源漏極,可1 引  言分為底接觸和頂接觸結(jié)構(gòu)。相較其他結(jié)構(gòu),底柵頂接觸制作工藝較簡單,故顯示TFT器件主要  21世紀是信息時代,人們生活己經(jīng)離不開各采用此結(jié)構(gòu)。種信息設(shè)備,從而推動了有源矩陣液晶顯示器和有機發(fā)光二極管顯示器為代表的

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3 邱柳卿;;美國專利文摘[J];真空電子技術(shù);1990年01期

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6 安繼蕓;;摻雜氧化物源向硅中的高濃度砷擴散[J];半導體情報;1973年10期

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8 戴國瑞,管玉國,焦伯恒,南金,許秀來,韓征,朱勇;多層氧化物薄膜氣體敏感特性的研究[J];云南大學學報(自然科學版);1997年02期

9 熊勝明,張云洞,唐晉發(fā);電子束反應蒸發(fā)氧化物薄膜的應力特性[J];光電工程;2001年01期

10 葉志鎮(zhèn);唐晉發(fā);;直流反應磁控濺射淀積氧化物光學薄膜和成膜過程的反應動力學[J];激光與紅外;1988年08期

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本文編號:1439274

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