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光刻照明系統(tǒng)中復眼透鏡的設計及公差分析

發(fā)布時間:2018-01-13 16:19

  本文關(guān)鍵詞:光刻照明系統(tǒng)中復眼透鏡的設計及公差分析 出處:《激光與紅外》2017年07期  論文類型:期刊論文


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【摘要】:在超大規(guī)模集成電路中,為了實現(xiàn)NA=1.35,波長193 nm處分辨率達到45 nm的目標,需要對影響光刻照明均勻性的誤差源進行詳細分析最終確定公差范圍。復眼透鏡是使光束在系統(tǒng)掩膜面上形成矩形均勻照明區(qū)域的關(guān)鍵元件。采用CODE V軟件設計了復眼透鏡對引起照明不均勻性的因素進行分析,結(jié)合復眼透鏡組的設計方案和實際加工能力,給出X和Y向復眼曲率公差為±10%,后組曲率公差為±5%,前后組間隔公差為±50μm,位置精度偏心公差為±1μm,裝配精度公差為±3μm。制定公差合理、可行,滿足了浸沒式光刻照明系統(tǒng)高均勻性、高能量利用率的要求。
[Abstract]:In VLSI, the resolution at 193 nm is 45 nm in order to achieve NAA 1.35. It is necessary to analyze in detail the error sources that affect the uniformity of lithographic illumination and finally determine the tolerance range. Compound eye lens is the key element to make the beam form a rectangular uniform illumination area on the system mask surface. CODE is adopted. V software designed the compound eye lens to analyze the factors that caused the illumination inhomogeneity. Combined with the design and practical processing ability of compound lens group, the curvature tolerance of X and Y direction compound eye is 鹵10, the curvature tolerance of posterior group is 鹵5 and the tolerance of anterior and posterior group interval is 鹵50 渭 m. The eccentric tolerance of position accuracy is 鹵1 渭 m, and the tolerance of assembly accuracy is 鹵3 渭 m. The tolerance is reasonable and feasible, which meets the requirements of high uniformity and high energy utilization rate of immersion lithography lighting system.
【作者單位】: 長春理工大學;長春理工大學光電信息學院;
【基金】:國家自然科學基金項目(No.91338116;No.11474037)資肋
【分類號】:TH74;TN405
【正文快照】: 1引言隨著世界光刻技術(shù)邁入45 nm節(jié)點及以下,浸沒式光學投影曝光光刻技術(shù)已成為集成電路制造的主流技術(shù)[1]。良好的照明均勻性能夠獲得高分辨率,反之,如果照明均勻性較差,那么會造成各個視場分辨率存在差異,曝光線條的粗細不一致,嚴重影響光刻機的性能[2-3]。故設計了NA達到1.

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本文編號:1419605

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