發(fā)布時(shí)間：2018-01-13 08:00

  本文關(guān)鍵詞：IGBT模塊結(jié)溫估計(jì)方法及其溫度特性研究　出處：《電源學(xué)報(bào)》2016年06期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：為了準(zhǔn)確快速地估計(jì)結(jié)溫,研究了IGBT模塊的溫度特性及基于溫度敏感電參數(shù)TSEP(temperature sensitive electrical parameters)的結(jié)溫估計(jì)方法。首先在不同殼溫的條件下,測量IGBT開關(guān)過程中的門極-射極電壓Vge、集電極-射極電壓Vce和集電極電流Ic,并以上述參數(shù)作為TSEP;然后分析了TSEP隨溫度變化的機(jī)理,研究了TSEP典型特征與溫度的關(guān)系,并將其量化;最后提出一種準(zhǔn)確的IGBT結(jié)溫估計(jì)方法。實(shí)驗(yàn)測試結(jié)果表明,基于TSEP的典型特征的結(jié)溫估計(jì)方法切實(shí)可行。
[Abstract]:In order to estimate the junction temperature accurately and quickly. The temperature characteristics of IGBT module and the temperature sensitive electrical parameters based on TSEP (. Temperature sensitive electrical parameters.Firstly, under different shell temperature conditions. The gate emitter voltage, collector emitter voltage Vce and collector current Ic were measured in the process of IGBT switch. Then, the mechanism of TSEP changing with temperature is analyzed, and the relationship between the typical characteristics of TSEP and temperature is studied and quantified. Finally, an accurate IGBT junction temperature estimation method is proposed. The experimental results show that the method based on typical characteristics of TSEP is feasible.
【作者單位】： 天津理工大學(xué)天津市復(fù)雜系統(tǒng)控制理論及應(yīng)用重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：天津市自然科學(xué)基金面上資助項(xiàng)目(14JCYBJC18400)~~
【分類號(hào)】：TN322.8
【正文快照】： 引言 絕緣柵雙極型晶體管IGBT(insulated gate bipolar tramsistor)因擁有較寬的工作電壓范圍和大電流的處理能力等優(yōu)點(diǎn),故被廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、高速機(jī)車和新能源發(fā)電等領(lǐng)域[1]。考慮到IGBT的應(yīng) 用領(lǐng)域較廣,因此IGBT模塊的可靠性研究是非常重要的,不僅有利于延長壽命,而且

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本文編號(hào)：1418127