本文關鍵詞：一種有源驅動補償?shù)腎GBT串聯(lián)技術研究　出處：《電氣傳動》2017年08期 　論文類型：期刊論文

  更多相關文章： IGBT串聯(lián) 動態(tài)均壓 觸發(fā)時間補償

【摘要】：應用于高壓環(huán)境的電氣系統(tǒng)需要能充當斷路器的高速開關,以便于在故障發(fā)生時于盡可能短的時間內(nèi)切除主電源。針對這種需求,串聯(lián)IGBT是一個理想的選擇;而串聯(lián)IGBT的均壓問題需要深入研究。介紹了一種有源門極驅動觸發(fā)時間補償法以實現(xiàn)各IGBT的均壓,并在1 500 V/10 A的電路環(huán)境下進行了3個IGBT模塊的串聯(lián)實驗。實驗結果表明該方法能有效地改善串聯(lián)IGBT的均壓效果。
[Abstract]:Electrical systems used in high voltage environments need to act as high speed switches for circuit breakers so that the main power supply can be removed in as short a time as possible when a fault occurs. Series IGBT is an ideal choice. The voltage equalization problem of series IGBT needs to be studied deeply. This paper introduces an active gate drive trigger time compensation method to realize the voltage equalization of each IGBT. The series experiments of three IGBT modules are carried out under the environment of 1 500V / 10A circuit. The experimental results show that this method can effectively improve the voltage equalizing effect of series IGBT.
【作者單位】： 南瑞集團公司(國網(wǎng)電力科學研究院);國網(wǎng)電力科學研究院武漢南瑞有限責任公司;
【分類號】：TN322.8
【正文快照】： 絕緣柵雙極晶體管(IGBT)作為復合全控型電力電子器件,既具有功率MOSFET的高速開關及電壓驅動特性,又具有雙極功率晶體管的低飽和電壓特性與易實現(xiàn)較大的電流能力[1]。隨著對高壓開關器件的要求越來越高,現(xiàn)有IGBT單管耐壓能力已不能滿足高電壓等級的使用要求。IGBT串聯(lián)技術可有，

本文編號：1411108