發(fā)布時間：2018-01-11 13:26

  本文關(guān)鍵詞：硅基鍺薄膜的選擇性外延生長　出處：《微納電子技術(shù)》2017年02期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：采用減壓化學(xué)氣相沉積(RPCVD)系統(tǒng),通過調(diào)節(jié)GeH4和刻蝕性氣體HCl的通入速率,在Si/SiO2圖形襯底上利用40 nm薄低溫Ge緩沖層選擇性外延生長Ge薄膜,然后H2退火20 min以減少外延Ge層中的位錯及缺陷。采用化學(xué)腐蝕方法檢查位錯坑密度,利用掃描電子顯微鏡(SEM)、原子力顯微鏡(AFM)和高分辨率X射線衍射(HRXRD)方法表征分析了外延Ge晶體質(zhì)量。測試結(jié)果表明,圖形襯底上直徑為10μm的圓形區(qū)域外延Ge位錯密度低至1.3×10~6/cm~2,約1.5μm厚外延Ge層衍射峰的半高寬平均為240 arcsec,化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝后用AFM測得Ge膜表面粗糙度低至0.2 nm,該工藝方法制備的鍺薄膜材料將有望集成應(yīng)用于硅基探測器等硅基光電器件。
[Abstract]:By vacuum chemical vapor deposition (RPCVD) system, through regulating GeH4 and HCl etching gas flow rate, using 40 nm thin Ge buffer layers for selective epitaxial growth of Ge films on Si/SiO2 substrate and annealing H2 graphics, min 20 to minimize dislocations and defects in the epitaxial Ge layer. By using chemical etching method to check the etch pit density, using scanning electron microscopy (SEM), atomic force microscopy (AFM) and high resolution X ray diffraction (HRXRD) analysis method to characterize Ge epitaxial crystal quality. The test results show that the patterned substrate of 10 m diameter circular area epitaxial Ge low dislocation density to 1.3 x 10~6/cm~2, half width about 1.5 mu m thick epitaxial Ge layer of diffraction peak was 240 arcsec, the chemical mechanical polishing (CMP) process with AFM measured the surface roughness of Ge film is low to 0.2 nm for germanium thin film material prepared this process is expected to be used for integrated silicon photodetector Si based optoelectronic devices.

【作者單位】： 貴州大學(xué)大數(shù)據(jù)與信息工程學(xué)院;中國科學(xué)院微電子研究所微電子器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實驗室;
【分類號】：TN304.054
【正文快照】： 0引言隨著社會的發(fā)展,人們對信息的處理、計算、傳輸、存儲以及速度和能耗控制等技術(shù)的要求越來越高,進(jìn)而對集成電路的性能提出了更高的要求。硅基光電集成技術(shù)能夠充分利用現(xiàn)有成熟的微電子工藝,將光子傳輸速率高、抗干擾性強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)與微電子技術(shù)結(jié)合,從而克服微電子銅互連等

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1 王宸煜;;鍺硅選擇性外延在應(yīng)變技術(shù)中的應(yīng)用[J];集成電路應(yīng)用;2008年08期

2 ;[J];;年期

，

本文編號：1409712