本文關(guān)鍵詞：化學(xué)機(jī)械拋光產(chǎn)生的碲鎘汞材料亞表面損傷層的研究　出處：《紅外與激光工程》2016年12期 　論文類型：期刊論文

  更多相關(guān)文章： 化學(xué)機(jī)械拋光 亞表面損傷 橢圓偏振 少子壽命 碲鎘汞

【摘要】：針對化學(xué)機(jī)械拋光工藝對碲鎘汞材料所產(chǎn)生的亞表面損傷層進(jìn)行了研究。利用橢圓偏振光譜方法對經(jīng)過腐蝕剝層的碲鎘汞材料表面進(jìn)行了光學(xué)表征,認(rèn)為化學(xué)機(jī)械拋光工藝造成的亞表面損傷層的深度大概為拋光工藝中所使用研磨顆粒直徑的15~20倍。通過少子壽命表征和光導(dǎo)器件性能的對比測試,認(rèn)為將該亞表面損傷層完全去除后,材料的少子壽命和器件的光電性能會得到明顯的提高。
[Abstract]:The damage layer of HgCdTe was studied by chemical and mechanical polishing process. The surface of HgCdTe after etching was characterized by elliptical polarization spectroscopy. It is considered that the depth of the subsurface damage layer caused by the chemical mechanical polishing process is about 1520 times the diameter of the abrasive particles used in the polishing process. The minority carrier lifetime characterization and the comparative testing of the properties of the photoconductive devices are carried out. It is considered that the minority carrier lifetime of the material and the photoelectric performance of the device will be obviously improved after the subsurface damage layer is completely removed.
【作者單位】： 中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所中國科學(xué)院紅外成像材料與器件重點實驗室;中國科學(xué)院大學(xué);山東大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(11304335)
【分類號】：TN305.2
【正文快照】： 0引言化學(xué)機(jī)械拋光是當(dāng)今半導(dǎo)體器件制備中一項重要的工藝內(nèi)容[1]�；瘜W(xué)機(jī)械拋光引入的材料亞表面損傷層厚度一直是研究人員所關(guān)注的問題[2],因為它直接影響到拋光工藝的穩(wěn)定性和最終器件的成品率。Hg Cd Te光導(dǎo)探測器由于工藝簡單成本較低,在紅外探測器領(lǐng)域仍然有著重要的研

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本文編號：1408012