本文關(guān)鍵詞：混合極性GaN基HEMT中2DEG性能分析　出處：《真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào)》2017年04期 　論文類(lèi)型：期刊論文

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【摘要】：綜合鎵極性(Ga-polar)和氮極性(N-polar)GaN基高電子遷移率晶體管(HEMT)上的歐姆接觸特性,提出了一種混合極性的GaN基HEMT結(jié)構(gòu)。通過(guò)自洽求解薛定諤方程和泊松方程,分析了該混合極性GaN基HEMT結(jié)構(gòu)中的二維電子氣(2DEG)行為特性,從而為該混合極性HEMT結(jié)構(gòu)的實(shí)際應(yīng)用提供了理論參考。仿真結(jié)果表明N-polar AlGaN背勢(shì)壘的Al組分較其厚度對(duì)2DEG的影響更為明顯,而將N-polar AlGaN背勢(shì)壘的Al組分漸變后,可以降低寄生溝道對(duì)主溝道2DEG的影響,AlN插入層的引入也可進(jìn)一步提高2DEG面密度、遷移率及其限閾性。
[Abstract]:In this paper , a GaN - based HEMT structure with mixed polarity is proposed based on the ohmic contact characteristics of Ga - polar and N - polar GaN - based high electron mobility transistors ( HEMT ) .

【作者單位】： 石家莊學(xué)院物理與電氣信息工程學(xué)院;河北工業(yè)大學(xué)信息工程學(xué)院;
【基金】：河北省科技計(jì)劃項(xiàng)目(15210606) 河北省高等學(xué)校科學(xué)技術(shù)研究項(xiàng)目(Z2017140)
【分類(lèi)號(hào)】：TN386
【正文快照】： *聯(lián)系人:E-mail:wswxb8@163.comGa N基材料在微電子、光電子等應(yīng)用領(lǐng)域以寬禁帶、高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子漂移速度等材料特征備受研究者關(guān)注,與Si C等材料一起并稱(chēng)為最有前途的“第三代半導(dǎo)體材料”,成為目前全球半導(dǎo)體研究的前沿與熱點(diǎn)[1-3]。由于纖鋅礦結(jié)構(gòu)的Ga N缺少中心反

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8 張陽(yáng);顧書(shū)林;葉建東;黃時(shí)敏;顧然;陳斌;朱順明;鄭有p，

本文編號(hào)：1406602