本文關(guān)鍵詞：利用合金低溫生長(zhǎng)晶體硅的研究進(jìn)展　出處：《材料導(dǎo)報(bào)》2017年01期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：基于光伏行業(yè)對(duì)低成本晶體硅材料的巨大需求,晶體硅低溫生長(zhǎng)技術(shù)逐漸受到人們的青睞。該技術(shù)是在低溫下將硅與低熔點(diǎn)金屬進(jìn)行共熔化處理,結(jié)合液相外延、合金定向凝固等技術(shù)生長(zhǎng)、制備晶體硅。首先闡述了晶體硅低溫制備原理,并對(duì)其生長(zhǎng)行為、受控因素和應(yīng)用現(xiàn)狀進(jìn)行綜述,指出了目前各自存在的問題與難點(diǎn),最后對(duì)下一階段晶體硅生長(zhǎng)技術(shù)的研究重點(diǎn)和發(fā)展前景進(jìn)行了展望。
[Abstract]:Due to the huge demand of the photovoltaic industry for low-cost crystalline silicon materials, the cryogenic growth technology of crystalline silicon is gradually favored by people. The technology is to co-melt silicon with low melting point metal at low temperature. In combination with liquid phase epitaxy (LPE) and directional solidification of alloys, crystal silicon is prepared. Firstly, the low temperature preparation principle of crystalline silicon is introduced, and its growth behavior, controlled factors and application status are reviewed. The existing problems and difficulties are pointed out. Finally, the research emphasis and development prospect of crystal silicon growth technology in the next stage are prospected.
【作者單位】： 北京科技大學(xué)冶金與生態(tài)工程學(xué)院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(51334002;51274034;51404019) 中國(guó)博士后科學(xué)基金(2015M580985)
【分類號(hào)】：TN304.12
【正文快照】： 0引言自1948年美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室Ohl研究員[1]申報(bào)了光敏硅器件專利以來,硅太陽能電池的制備和性能都取得了巨大進(jìn)步。時(shí)至2014年,以單晶、多晶硅材料為主的硅材料太陽能電池占據(jù)94%的光伏市場(chǎng)份額,成為目前應(yīng)用最廣泛的光伏器件。而與此同時(shí),硅太陽能電池的制作成本也在逐年下降

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本文編號(hào)：1405309