本文關(guān)鍵詞：GaAs量子阱的自旋擴(kuò)散特性研究　出處：《山西大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版)》2017年02期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：基于單極自旋擴(kuò)散方程,建立了(110)-晶向GaAs/(Al,Ga)As量子阱中非平衡態(tài)下的自旋擴(kuò)散模型,并采用有限元方法對模型進(jìn)行了數(shù)值模擬。模擬結(jié)果與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的對比顯示,在較低激發(fā)功率下理論與實(shí)驗(yàn)整體符合的很好;而在較高的激發(fā)密度,理論和實(shí)驗(yàn)分布在短時延處有一定的差異,可能與動態(tài)的熱載流子效應(yīng)有關(guān)。
[Abstract]:Based on the unipolar spin diffusion equation, a spin diffusion model is established under the non-equilibrium state of the crystal direction GaAs / Al Si / Ga as quantum wells. The finite element method is used to simulate the model. The comparison between the simulation results and the experimental data shows that the theoretical and experimental results are in good agreement with the whole experiment at low excitation power. At higher excitation density, the theoretical and experimental distributions are different in short time delay, which may be related to the dynamic hot carrier effect.
【作者單位】： 山西大學(xué)光電研究所量子光學(xué)與光量子器件國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;極端光學(xué)協(xié)同創(chuàng)新中心;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(61574087) 山西省基礎(chǔ)研究優(yōu)秀青年基金(2015021002) 山西省回國留學(xué)人員科研資助項(xiàng)目(2015-009)
【分類號】：O471.1
【正文快照】： 0引言隨著信息技術(shù)的進(jìn)步,傳統(tǒng)電子學(xué)器件的發(fā)展受到諸多制約[1]。量子力學(xué)與經(jīng)典信息科學(xué)的結(jié)合誕生了包括量子通信和量子計(jì)算的量子信息學(xué)。經(jīng)典信息以比特(bits)作為處理單位,用0和1來表示;而量子信息的處理單位是量子比特(qubits),即0和1可以同時存在,每個狀態(tài)可以用邏輯

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本文編號：1405056