本文關(guān)鍵詞：應(yīng)用于4G的兩級(jí)BiCMOS射頻功率放大器設(shè)計(jì)　出處：《微電子學(xué)與計(jì)算機(jī)》2016年01期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：設(shè)計(jì)一個(gè)基于SiGe BiCMOS工藝的共源共柵結(jié)構(gòu)的兩級(jí)功率放大器.第一級(jí)采用差分共源放大器,將輸入匹配送來的信號(hào)進(jìn)行預(yù)放大,同時(shí)抑制噪聲.第二級(jí)主功放采用BiFET共源共柵結(jié)構(gòu),以提高線性度.基于JAZZ0.18μm SiGe BiCMOS工藝庫,采用Cadence Spectre RF對(duì)功率放大器進(jìn)行仿真.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,在3.3V電源電壓下,最高功率增益達(dá)到32dB,輸出1dB壓縮點(diǎn)處功率為29dBm,有較好地線性度,在2.3~2.7GHz頻段內(nèi)S11和S22均小于-10dB,匹配良好.最大功率附加效率為22.1%,可用于WIMAX無線通信的2.3~2.7GHz頻段.
[Abstract]:A two stage power amplifier based on SiGe BiCMOS technology is designed. In the first stage, the input matching signal is preamplified by differential common source amplifier. At the same time, the noise is suppressed. The second stage of the main amplifier adopts the BiFET common-gate structure to improve the linearity. It is based on the JAZZ0.18 渭 m SiGe BiCMOS process library. Cadence Spectre RF is used to simulate the power amplifier. The experimental results show that the maximum power gain reaches 32dB at 3.3 V power supply voltage. The output power at 1dB compression point is 29dBm.The linearity is good. Both S11 and S22 are less than -10dB in the frequency band of 2.3 ~ 2.7GHz. The maximum power addition efficiency is 22.1GHz, which can be used in WIMAX wireless communication at 2.3Gz2.7GHz.
【作者單位】： 重慶郵電大學(xué)光電工程學(xué)院;
【分類號(hào)】：TN722.75
【正文快照】： (College of Electronics Engineering,Chongqing University of Posts and Telecommunications,Chongqing 400065,China)1引言現(xiàn)代3G/4G/WLAN通信協(xié)議采用了具有高峰均功率比(PAPRs)的對(duì)頻譜利用率高的調(diào)制方案,以獲得高數(shù)據(jù)傳輸速率,且能抵御多徑衰減的影響.這些非恒定的包

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本文編號(hào)：1404043