本文關鍵詞：外場對InPBi量子阱中激子結合能的影響　出處：《量子電子學報》2017年01期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：在有效質量近似下運用變分法計算了InAlAs/InPBi/InAlAs量子阱中的激子結合能隨阱寬、Al組分、Bi組分的變化情況,分析了外加電場和磁場對激子結合能的影響。結果表明:激子結合能隨阱寬增大呈現(xiàn)先增大后減小的趨勢;隨Al、Bi組分的增大,激子結合能也逐漸增大;外加電場較小時對激子結合能的影響很小,外加電場較大時破壞了激子效應;激子結合能隨外加磁場增大呈現(xiàn)單調增大的趨勢。計算結果對InAlAs/InPBi/InAlAs量子阱在光電子器件方面的應用有一定指導意義。
[Abstract]:Under the effective mass approximation, the variation of exciton binding energy in InAlAs/InPBi/InAlAs quantum well with the Bi component of Al component in the well width is calculated by using the variational method. The effect of external electric field and magnetic field on the exciton binding energy is analyzed. The results show that the exciton binding energy increases first and then decreases with the increase of well width. The exciton binding energy increases gradually with the increase of the Al _ (2 +) Bi component. The small applied electric field has little effect on the exciton binding energy, and the exciton effect is destroyed when the applied electric field is large. The exciton binding energy increases monotonously with the increase of the applied magnetic field. The calculated results are helpful for the application of InAlAs/InPBi/InAlAs quantum wells in optoelectronic devices.
【作者單位】： 曲阜師范大學物理工程學院;中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所信息功能材料國家重點實驗室;
【基金】：國家自然科學基金,61205055 山東省自然科學基金,ZR2014FM011 信息功能材料國家重點實驗開放課題,SKL201307~~
【分類號】：O471.1
【正文快照】： 1引言近年來,低維半導體結構在光電子和微電子領域應用廣泛,一直是人們研究的熱點?。隨著原子逐層沉積的分子束外延(MBE)及金屬有機化學汽相沉淀(MOCVD)等納米技術的發(fā)展,人們可以制造各 種形狀的低維半導體異質結構,其中董子阱結構因為在光電器件中的應用被廣泛關注和研究[7

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5 顧世洧;電子-聲子作用對鹵化鉈中Wannier激子結合能的影響[J];物理學報;1981年05期

6 顧世洧;LO聲子色散對激子結合能的影響[J];發(fā)光與顯示;1984年02期

7 顧海濤,熊貴光;GaN基量子阱激子結合能和激子光躍遷強度[J];半導體光電;2001年03期

8 趙國軍,梁希俠,班士良;極性三元混晶中的Wannier激子結合能(英文)[J];光電子·激光;2004年04期

9 范希慶;張德萱;;極性晶體中Wannier激子結合能的變分計算[J];鄭州大學學報(自然科學版);1985年02期

10 郭子政,吳曉薇,周培勤;用變分擬合方法計算電場下鋸齒型多量子阱的激子結合能[J];內蒙古師大學報(自然科學漢文版);1999年02期

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3 王麗青;GaAs/Al_xGa_(1-x)As三量子阱中勢壘厚度對激子結合能的影響及其壓力效應[D];內蒙古大學;2013年

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本文編號：1401981