本文關(guān)鍵詞：層疊母排并聯(lián)支路雜散電感建模及測(cè)量方法　出處：《電力電子技術(shù)》2017年07期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：建立精確母排的雜散電感模型是準(zhǔn)確分析絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)可靠性的關(guān)鍵問(wèn)題之一。大功率IGBT模塊通常存在2~3個(gè)功率端子,端子之間的均流特性與母排所在支路的雜散電感相關(guān)。以一臺(tái)三相兩電平車(chē)載逆變器疊層母排作為研究對(duì)象,建立了母排并聯(lián)支路的局部自感和互感模型,并對(duì)模型進(jìn)行簡(jiǎn)化。借助Q3D仿真工具,對(duì)母排并聯(lián)支路局部雜散電感進(jìn)行提取,驗(yàn)證了模型簡(jiǎn)化方法的準(zhǔn)確性。同時(shí)提出一種高精度的母排局部雜散電感測(cè)量方法,驗(yàn)證了雜散電感仿真結(jié)果的正確性。
[Abstract]:In this paper , one of the key problems for accurately analyzing the reliability of insulated gate bipolar transistor ( IGBT ) is established . The high - power IGBT module usually has 2 - 3 power terminals , the current - sharing characteristic of the terminals is related to the stray inductance of the branch of the busbar . The local self - inductance and mutual inductance model of the bus parallel branch are established by Q3D simulation tool , and the accuracy of the model simplification method is verified . At the same time , a high - precision busbar partial stray inductance measurement method is proposed , and the correctness of the stray inductance simulation result is verified .

【作者單位】： 中國(guó)礦業(yè)大學(xué)信息與電氣工程學(xué)院;
【基金】：國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃課題(2016YFC0600906)~~
【分類號(hào)】：TN322.8
【正文快照】： i引言層疊母排由于低雜散電感特性,被廣泛應(yīng)用于電力電子變流變頻產(chǎn)品中。由于母排雜散電感對(duì)功率器件的開(kāi)關(guān)暫態(tài)特性有重要影響,因此對(duì)層疊母排的應(yīng)用研究主要是根據(jù)具體的電路拓?fù)溥M(jìn)行母排優(yōu)化設(shè)計(jì)[1]。文獻(xiàn)[2]在深入分析了電流路徑后,建立了H橋母排的局部自感和互感模型。

【相似文獻(xiàn)】

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1 陸錦元;前置放大器分析[J];電測(cè)與儀表;1980年03期

2 張明軒;張達(dá);賈誠(chéng);;單色LED光源陣列并聯(lián)支路的電流均分[J];中國(guó)照明電器;2011年12期

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本文編號(hào)：1390791