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電子束退火法制備ZnO薄膜

發(fā)布時(shí)間:2018-01-06 13:22

  本文關(guān)鍵詞:電子束退火法制備ZnO薄膜 出處:《材料導(dǎo)報(bào)》2017年02期  論文類型:期刊論文


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【摘要】:利用溶膠-凝膠法制備出ZnO的凝膠前驅(qū)膜,用電子束退火取代傳統(tǒng)爐子退火,對(duì)前驅(qū)膜進(jìn)行后處理,退火時(shí)固定電子束加速電壓為10kV,退火時(shí)間為5min,調(diào)節(jié)聚焦束流和電子束束流,使退火溫度在600~900℃范圍內(nèi)變化。掃描電鏡(SEM)、X射線衍射(XRD)、原子力顯微鏡(AFM)和壓電力顯微鏡(PFM)的測試結(jié)果表明,運(yùn)用電子束退火法可制備出晶粒尺寸小于30nm、沿(002)擇優(yōu)取向、具有壓電效應(yīng)的六方ZnO薄膜,且隨著退火溫度的升高,晶粒尺寸逐漸變大,薄膜的結(jié)晶性和取向變好,壓電效應(yīng)越來越明顯。
[Abstract]:The gel precursor film of ZnO was prepared by sol-gel method. Electron beam annealing was used to replace the conventional furnace annealing. After treatment, the fixed electron beam acceleration voltage was 10 kV. The annealing time is 5 min, and the annealing temperature varies from 600 鈩,

本文編號(hào):1388049

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