K波段低噪聲集成片上CMOS接收前端設(shè)計(jì)
發(fā)布時(shí)間:2018-01-05 04:22
本文關(guān)鍵詞:K波段低噪聲集成片上CMOS接收前端設(shè)計(jì) 出處:《北京理工大學(xué)學(xué)報(bào)》2017年03期 論文類型:期刊論文
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【摘要】:基于TSMC 90nm CMOS工藝,設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)K波段片上集成CMOS接收前端.接收前端由兩級(jí)差分共源共柵結(jié)構(gòu)低噪聲放大器、雙平衡吉爾伯特單元結(jié)構(gòu)下變頻混頻器組成.射頻輸入、本振輸入以及模塊間采用片上巴倫進(jìn)行匹配.測(cè)試結(jié)果表明,在射頻輸入頻率23.2GHz時(shí),轉(zhuǎn)換增益為27.6dB,噪聲系數(shù)為3.8dB,端口隔離性能良好,在電源電壓為1.2V下,功耗為35mW,芯片面積為1.45×0.60mm~2.
[Abstract]:TSMC 90nm based on CMOS technology, the design and implementation of K band on chip CMOS receiver. The receiver front-end consists of two differential cascode low noise amplifier, double balanced Gilbert cell mixer structure. The RF input, the vibration input and between modules using on-chip balun matching. Experimental results show that in RF input frequency 23.2GHz, conversion gain of 27.6dB, noise figure of 3.8dB, port isolation performance is good, the supply voltage is 1.2V, power consumption is 35mW, the chip area is 1.45 * 0.60mm~2.
【作者單位】: 北京理工大學(xué)信息與電子學(xué)院;
【基金】:國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61301006,61271113)
【分類號(hào)】:TN432
【正文快照】: 無線通信系統(tǒng)的應(yīng)用逐漸深入到工業(yè)生產(chǎn)和日常生活中.隨著應(yīng)用背景的多樣化和應(yīng)用性能的高端化,無線通信系統(tǒng)的設(shè)計(jì)指標(biāo)日趨嚴(yán)格.系統(tǒng)中關(guān)鍵部分的設(shè)計(jì)也成為全面提高系統(tǒng)指標(biāo),實(shí)現(xiàn)小型化、集成化、低功耗、低成本等需求的關(guān)鍵因素.由于從天線上接收到的信號(hào)較為微弱,射頻接收,
本文編號(hào):1381560
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