本文關鍵詞：GaSb襯底上分子束外延生長的低溫GaSb薄膜的低缺陷表面（英文）　出處：《紅外與毫米波學報》2017年02期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：系統(tǒng)地研究了隨著GaSb薄膜生長溫度的降低,Sb/Ga(V/III)比的變化對薄膜低缺陷表面質(zhì)量的影響.為了獲得良好表面形貌的GaSb外延層,生長溫度與V/III比均需要同時降低.當Sb源裂解溫度為900℃時,生長得到低缺陷表面的低溫GaS b薄膜的最佳生長條件是生長溫度為在再構(gòu)溫度的基礎上加60℃且V/III比為7.1.
[Abstract]:The effect of the change of Sb / Ga ( V / III ) ratio on the surface quality of thin films was systematically studied with the decrease of the growth temperature of GaSb films . In order to obtain GaSb epitaxial layer with good surface morphology , the growth temperature and V / III ratio need to be reduced simultaneously . When the cleavage temperature of Sb source is 900 鈩，

本文編號：1380540