本文關(guān)鍵詞：CdSe量子點(diǎn)發(fā)光二極管制備及陣列串?dāng)_研究　出處：《吉林大學(xué)》2015年碩士論文　論文類(lèi)型：學(xué)位論文

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【摘要】：近年來(lái)量子點(diǎn)發(fā)光二極管（QD-LED）的研究取得了很多突破性的進(jìn)展，而使用CdSe量子點(diǎn)作為發(fā)光材料制作QD-LED得到了更多更廣泛的關(guān)注。目前，紅、綠、藍(lán)CdSe QD-LED的最大亮度分別為31000cd/m2，68000cd/m2和4200cd/m2。此外，由于量子點(diǎn)具有發(fā)射帶寬窄，光穩(wěn)定性好，熒光壽命長(zhǎng)，尺寸可調(diào)的優(yōu)點(diǎn)，在顯示領(lǐng)域有不可限量的應(yīng)用前景。 本文主要研究了CdSe量子點(diǎn)發(fā)光二極管（LED）的原理、制作過(guò)程和性能，同時(shí)探索了陣列化QD-LED的問(wèn)題和解決方案。首先我們使用連續(xù)離子吸附法進(jìn)行CdSe/CdS/ZnS核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的合成，再用合成的量子點(diǎn)進(jìn)行LED器件的制作，量子點(diǎn)LED是以量子點(diǎn)作為發(fā)光層，，同時(shí)使用有機(jī)聚三苯胺(Poly-TPD)為空穴傳輸層、ZnO為電子傳輸層的電致發(fā)光器件。我們對(duì)LED的亮度、效率、壽命均進(jìn)行了測(cè)試，分析并優(yōu)化了LED的性能。 此外，我們還制作了以石墨烯為陽(yáng)極的量子點(diǎn)LED，并對(duì)以石墨烯和ITO為陽(yáng)極的量子點(diǎn)LED進(jìn)行了發(fā)光效率和亮度的對(duì)比，驗(yàn)證了石墨烯作為導(dǎo)電膜的光明前景。不僅如此，還在量子點(diǎn)LED的基礎(chǔ)上制作了8段位碼和5×5點(diǎn)陣的LED顯示器件，制作過(guò)程中，發(fā)現(xiàn)嚴(yán)重串?dāng)_問(wèn)題，最終我們使用MoOx代替PEDOT作為空穴注入層，解決PEDOT橫向?qū)щ娦赃^(guò)強(qiáng)引起的串?dāng)_問(wèn)題，并且探討了8段位碼量子點(diǎn)顯示器件的均一性，這種表面均一的量子點(diǎn)LED表明了量子點(diǎn)在顯示屏領(lǐng)域的應(yīng)用前景。
[Abstract]:In recent years, the quantum dot light-emitting diode (QD-LED) has made progress in many groundbreaking research, using CdSe quantum dots as luminescent materials for making QD-LED has been more extensive attention. At present, red, green and blue CdSe QD-LED maximum brightness were 31000cd/m268000cd/m2 and 4200cd/m2., in addition, because quantum dots have emission band width. Good light stability, long life, the advantages of adjustable size, application prospect in the field of display is limitless.
This paper mainly studies the CdSe quantum dot light-emitting diode (LED) principle, fabrication process and performance, while exploring the QD-LED array of problems and solutions. First we use continuous ion adsorption method for synthesis of CdSe/CdS/ZnS core-shell quantum dots, making LED devices for the synthesis of quantum dots and quantum dots, LED using quantum dots as the emitting layer, and the use of organic poly three aniline (Poly-TPD) as the hole transport layer, an electron transport layer of ZnO electroluminescent devices. The LED brightness, efficiency and lifetime were tested, analyzed and optimized the performance of LED.
In addition, we also fabricated with graphene as anode and LED quantum dots, the graphene and ITO quantum dots as anode LED compared luminous efficiency and brightness, verify the bright prospects of graphene as a conductive film. Moreover, based on the preparation of LED quantum dots in the LED display 8 bit code and 5 * 5 dot matrix, the production process, found serious crosstalk problems, finally we use MoOx instead of PEDOT as hole injection layer, PEDOT transverse conductivity caused by strong crosstalk, and discusses the homogeneity of 8 Dan code quantum dot displays, quantum dots on the surface of uniform LED show that the application of quantum dots in the display field.

【學(xué)位授予單位】：吉林大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類(lèi)號(hào)】：TN312.8

【共引文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：1375249