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CdSe量子點發(fā)光二極管制備及陣列串擾研究

發(fā)布時間:2018-01-03 19:22

  本文關鍵詞:CdSe量子點發(fā)光二極管制備及陣列串擾研究 出處:《吉林大學》2015年碩士論文 論文類型:學位論文


  更多相關文章: 量子點 LED 陣列 石墨烯


【摘要】:近年來量子點發(fā)光二極管(QD-LED)的研究取得了很多突破性的進展,而使用CdSe量子點作為發(fā)光材料制作QD-LED得到了更多更廣泛的關注。目前,紅、綠、藍CdSe QD-LED的最大亮度分別為31000cd/m2,68000cd/m2和4200cd/m2。此外,由于量子點具有發(fā)射帶寬窄,光穩(wěn)定性好,熒光壽命長,尺寸可調的優(yōu)點,在顯示領域有不可限量的應用前景。 本文主要研究了CdSe量子點發(fā)光二極管(LED)的原理、制作過程和性能,同時探索了陣列化QD-LED的問題和解決方案。首先我們使用連續(xù)離子吸附法進行CdSe/CdS/ZnS核殼結構量子點的合成,再用合成的量子點進行LED器件的制作,量子點LED是以量子點作為發(fā)光層,,同時使用有機聚三苯胺(Poly-TPD)為空穴傳輸層、ZnO為電子傳輸層的電致發(fā)光器件。我們對LED的亮度、效率、壽命均進行了測試,分析并優(yōu)化了LED的性能。 此外,我們還制作了以石墨烯為陽極的量子點LED,并對以石墨烯和ITO為陽極的量子點LED進行了發(fā)光效率和亮度的對比,驗證了石墨烯作為導電膜的光明前景。不僅如此,還在量子點LED的基礎上制作了8段位碼和5×5點陣的LED顯示器件,制作過程中,發(fā)現(xiàn)嚴重串擾問題,最終我們使用MoOx代替PEDOT作為空穴注入層,解決PEDOT橫向導電性過強引起的串擾問題,并且探討了8段位碼量子點顯示器件的均一性,這種表面均一的量子點LED表明了量子點在顯示屏領域的應用前景。
[Abstract]:In recent years, the quantum dot light-emitting diode (QD-LED) has made progress in many groundbreaking research, using CdSe quantum dots as luminescent materials for making QD-LED has been more extensive attention. At present, red, green and blue CdSe QD-LED maximum brightness were 31000cd/m268000cd/m2 and 4200cd/m2., in addition, because quantum dots have emission band width. Good light stability, long life, the advantages of adjustable size, application prospect in the field of display is limitless.
This paper mainly studies the CdSe quantum dot light-emitting diode (LED) principle, fabrication process and performance, while exploring the QD-LED array of problems and solutions. First we use continuous ion adsorption method for synthesis of CdSe/CdS/ZnS core-shell quantum dots, making LED devices for the synthesis of quantum dots and quantum dots, LED using quantum dots as the emitting layer, and the use of organic poly three aniline (Poly-TPD) as the hole transport layer, an electron transport layer of ZnO electroluminescent devices. The LED brightness, efficiency and lifetime were tested, analyzed and optimized the performance of LED.
In addition, we also fabricated with graphene as anode and LED quantum dots, the graphene and ITO quantum dots as anode LED compared luminous efficiency and brightness, verify the bright prospects of graphene as a conductive film. Moreover, based on the preparation of LED quantum dots in the LED display 8 bit code and 5 * 5 dot matrix, the production process, found serious crosstalk problems, finally we use MoOx instead of PEDOT as hole injection layer, PEDOT transverse conductivity caused by strong crosstalk, and discusses the homogeneity of 8 Dan code quantum dot displays, quantum dots on the surface of uniform LED show that the application of quantum dots in the display field.

【學位授予單位】:吉林大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2015
【分類號】:TN312.8

【共引文獻】

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本文編號:1375249

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