本文關(guān)鍵詞：MIS結(jié)構(gòu)降低源漏極接觸電阻的研究進(jìn)展　出處：《電子元件與材料》2016年01期 　論文類型：期刊論文

  更多相關(guān)文章： 自對(duì)準(zhǔn)硅化物 金屬/半導(dǎo)體接觸 綜述 MIS結(jié)構(gòu) 費(fèi)米能級(jí)釘扎 肖特基勢(shì)壘

【摘要】：介紹了降低金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管中金屬/半導(dǎo)體接觸電阻的一種新型的方法,在金屬與半導(dǎo)體之間插入一層薄的電介質(zhì)形成金屬-界面層-半導(dǎo)體(metal-interfacial layer-semiconductor,MIS)結(jié)構(gòu)以降低金屬/半導(dǎo)體接觸電阻�；仡櫫私档徒佑|電阻的工藝發(fā)展歷程與趨勢(shì),綜述了MIS結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)物理模型與計(jì)算模擬的方法,總結(jié)了MIS結(jié)構(gòu)實(shí)驗(yàn)研究的最新進(jìn)展,討論了MIS結(jié)構(gòu)的局限性與不足之處,并展望了MIS結(jié)構(gòu)在未來(lái)的發(fā)展方向。
[Abstract]:A new method for reducing metal / semiconductor contact resistance in metal oxide semiconductor field effect transistors is introduced. A thin layer of dielectric is inserted between the metal and the semiconductor to form metal-interfacial layer-semiconductor. The process development and trend of reducing contact resistance are reviewed, and the basic physical model and computational simulation method of MIS structure are reviewed. This paper summarizes the latest progress in the experimental research of MIS structure, discusses the limitations and shortcomings of MIS structure, and looks forward to the future development of MIS structure.
【作者單位】： 上海交通大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;中芯國(guó)際集成電路制造有限公司技術(shù)研究與發(fā)展中心;
【分類號(hào)】：TN386
【正文快照】： 心,上海201203)集成電路產(chǎn)業(yè)自誕生之日起就在不斷追求器件更高密度的集成,在過(guò)去的近50年時(shí)間里,集成電路技術(shù)基本上一直遵循著摩爾定律快速發(fā)展。當(dāng)前最先進(jìn)的集成電路制造工藝已經(jīng)達(dá)到了14/16 nm技術(shù)代,集成電路芯片的核心器件——金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal Oxid

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