本文關(guān)鍵詞：基于基片集成波導(dǎo)的高選擇性平衡濾波器研究　出處：《南京理工大學(xué)》2016年碩士論文　論文類(lèi)型：學(xué)位論文

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【摘要】：基片集成波導(dǎo)(Substrate Integrated Waveguide, SIW)平衡濾波器不僅具有高品質(zhì)因數(shù)、高功率容量、尺寸小、重量輕、易集成等優(yōu)點(diǎn),同時(shí)對(duì)環(huán)境噪聲具有高免疫性,近幾年已被廣泛應(yīng)用在實(shí)際工程中,具有極高的應(yīng)用價(jià)值。交叉耦合技術(shù)是一種常用的改善濾波器性能的設(shè)計(jì)技術(shù),通過(guò)在通帶兩側(cè)引入傳輸零點(diǎn)對(duì)提高濾波器的選擇性起到明顯的效果。本文將交叉耦合技術(shù)應(yīng)用到SIW平衡濾波器之中,設(shè)計(jì)了多款基于SIW結(jié)構(gòu)的具有高選擇性、高共模抑制特性的單通帶和雙通帶平衡濾波器。本文首先介紹了SIW一些基本理論及幾種典型的平衡濾波器結(jié)構(gòu),在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了一款基于SIW的K波段單通帶平衡濾波器的結(jié)構(gòu),此濾波器性能優(yōu)良但通帶選擇性較差,因此對(duì)此結(jié)構(gòu)做出了改進(jìn)。通過(guò)在上下金屬表面蝕刻S型槽線(xiàn),引入混合電磁耦合,在通帶兩側(cè)各引入一個(gè)零點(diǎn),提高了平衡濾波器的通帶選擇性,得到了一個(gè)具有高共模抑制、高選擇性等特性?xún)?yōu)良的單通帶平衡濾波器。在設(shè)計(jì)的高選擇性單通帶平衡濾波器基礎(chǔ)上,提出了兩種實(shí)現(xiàn)雙通帶平衡濾波器的方法。第一種方法通過(guò)增加非諧振腔體,在通帶內(nèi)引入可控零點(diǎn)實(shí)現(xiàn)雙通帶,由于增加了TE102模式,共模抑制特性得到顯著提高；第二種方法則通過(guò)激勵(lì)腔體的高次模來(lái)實(shí)現(xiàn)雙通帶,即使用腔體的TE102模和TE104模來(lái)構(gòu)建濾波器的第二通帶,并通過(guò)在腔體上金屬面蝕刻對(duì)稱(chēng)槽線(xiàn)提高了共模抑制特性。兩種高選擇性雙通帶平衡濾波器的實(shí)測(cè)結(jié)果與仿真結(jié)果吻合度較高。
[Abstract]:......
【學(xué)位授予單位】：南京理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類(lèi)號(hào)】：TN713

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本文編號(hào)：1351986