本文關(guān)鍵詞：用熱反射測(cè)溫技術(shù)測(cè)量GaNHEMT的瞬態(tài)溫度　出處：《半導(dǎo)體技術(shù)》2016年01期 　論文類(lèi)型：期刊論文

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【摘要】：利用具備亞微米量級(jí)空間分辨率和納秒級(jí)時(shí)間分辨率的熱反射測(cè)溫技術(shù)對(duì)工作在脈沖偏置條件下的CGH4006P型Ga N HEMT進(jìn)行了瞬態(tài)溫度檢測(cè)。測(cè)量了Ga N器件表面柵極、漏極和源極金屬各部位在20μs內(nèi)的瞬態(tài)溫度幅度、分布及變化速度等數(shù)據(jù)。柵極、漏極和源極的溫度幅度有著非常明顯的差距,器件表面以柵為中心呈現(xiàn)較大的溫度分布梯度。器件表面柵金屬溫度變化幅度最高、變化速度最快,其主要溫度變化發(fā)生在5μs之內(nèi)。經(jīng)過(guò)仔細(xì)分析,器件各部位溫度差異的主要原因是器件的傳熱方向、不同區(qū)域與發(fā)熱點(diǎn)的距離。
【作者單位】： 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所;
【分類(lèi)號(hào)】：TN386
【正文快照】： 0引言第三代半導(dǎo)體器件Ga N高電子遷移率晶體管(high electron mobility transistor,HEMT)具備較高的功率密度,同時(shí)具有較強(qiáng)的自熱效應(yīng),在大功率工作條件下會(huì)產(chǎn)生較高的結(jié)溫。根據(jù)半導(dǎo)體器件可靠性理論,器件的工作溫度、性能及可靠性有著極為密切的聯(lián)系,因此準(zhǔn)確檢測(cè)Ga N HEMT

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