本文關(guān)鍵詞：GaSb納米線的CVD可控制備及其光學(xué)表征　出處：《化學(xué)學(xué)報》2016年10期 　論文類型：期刊論文

  更多相關(guān)文章： GaSb納米線 可控制備 CVD法 VLS生長機制 光學(xué)性質(zhì)

【摘要】：采用CVD法合成Ga Sb納米線,并分析生長時間對其長度的影響,隨后對其進(jìn)行光學(xué)表征.實驗過程中,分別采用噴金法和滴金法對硅片進(jìn)行預(yù)處理,再置于相同條件下制備Ga Sb納米線;之后對其進(jìn)行表征分析,根據(jù)掃描電子顯微鏡(SEM)表征結(jié)果證實,兩種方法制備的納米線都滿足VLS生長機制.且發(fā)現(xiàn)Ga Sb納米線的生長長度,可以通過改變其生長時間來進(jìn)行控制.通過該納米線的透射電子顯微鏡圖(TEM)、X射線衍射圖(XRD)等結(jié)構(gòu)表征,表明該納米線為結(jié)晶品質(zhì)優(yōu)良的立方閃鋅礦結(jié)構(gòu);同時,從Ga Sb納米線的拉曼光譜(Raman)及光致發(fā)光譜(PL)可以反映該納米線具有優(yōu)良的光學(xué)性質(zhì).由此證明,采用CVD法制得的納米線光學(xué)性質(zhì)優(yōu)異,且可以實現(xiàn)可控制備.
【作者單位】： 湖南大學(xué)物理與微電子科學(xué)學(xué)院;
【分類號】：TN304.2;TB383.1
【正文快照】： Received June 17,2016;published September 27,2016.1引言一直以來,作為一維納米材料中的一個重要組成部分,半導(dǎo)體納米線出色的光、電特性,使其在納米電子和光電子器件制造領(lǐng)域發(fā)揮著巨大的應(yīng)用潛能[1],其中,含Sb元素的III~V族納米材料具有較大的波爾激子半徑、較窄的禁帶寬

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