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單模光纖彎曲損耗的實驗研究

發(fā)布時間:2017-12-24 01:22

  本文關(guān)鍵詞:單模光纖彎曲損耗的實驗研究 出處:《北京交通大學(xué)》2016年碩士論文 論文類型:學(xué)位論文


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【摘要】:隨著光纖到戶(fiber-to-the-fiber, FTTH)的逐漸普及,為了提升FTTH光網(wǎng)絡(luò)的整體性能,如何使光纖在較小的彎曲半徑下仍能保持較低的彎曲損耗是當(dāng)今的研究熱點。彎曲不敏感單模光纖可以降低安裝成本并提高系統(tǒng)性能,因而在FTTH中得到廣泛應(yīng)用。本文對階躍型單模光纖和帶有下陷層結(jié)構(gòu)的單模光纖的彎曲性能進(jìn)行了全面的對比分析。針對帶有下陷層結(jié)構(gòu)的單模光纖,系統(tǒng)分析了其參數(shù)對彎曲損耗、模場直徑的影響;基于理論分析,研制了彎曲不敏感單模光纖(BIF);并實驗測試了五種單模光纖:SMF-28、G657A1、G657A2、G.657B、BIF的彎曲損耗和截止波長。理論分析結(jié)果表明:帶有下陷層結(jié)構(gòu)的單模光纖比階躍型單模光纖具有更優(yōu)的抗彎損性能。對于具有下陷層結(jié)構(gòu)的單模光纖,隨著下陷層與芯層之間距離的增大,光纖的彎曲損耗存在最小損耗值點,此點對優(yōu)化光纖結(jié)構(gòu)有重要作用。實驗測試結(jié)果表明:在波長為1550nnm、彎曲半徑為5mm時,研制的BIF其彎曲損耗可低至0.052dB/turn,相對于SMF-28光纖,其抗彎損性能得到大幅度的提升;隨著彎曲半徑增大,五種單模光纖的彎曲損耗逐漸減小,在彎曲半徑較小時變化較劇烈,且伴隨著共振耦合:彎曲損耗也隨著工作波長的增大而增大,理論結(jié)果與實驗測量結(jié)果基本吻合,具有一致性。理論與實驗結(jié)果表明,測試的五種單模光纖其抗彎損性能由高到低分別為:BIF、G.657B、G.657A2、 G.657A1、 SMF-28,即光纖中下陷層的引入及光纖結(jié)構(gòu)參數(shù)的優(yōu)化能有效地改善光纖的彎曲損耗;此外,BIF的截止波長、色散、模場直徑等參數(shù)滿足ITU-T標(biāo)準(zhǔn)。本文的結(jié)論和實驗測試數(shù)據(jù)都將對低彎曲損耗光纖的設(shè)計、研制以及應(yīng)用有重要的指導(dǎo)性意義。
【學(xué)位授予單位】:北京交通大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類號】:TN253

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本文編號:1326308


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