本文關(guān)鍵詞：開關(guān)電源中IGBT模塊散熱分析　出處：《強(qiáng)激光與粒子束》2016年07期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：基于絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊的實(shí)際結(jié)構(gòu),建立了開關(guān)電源IGBT模塊有限元等效熱分析模型和雙熱阻模型。在開關(guān)電源實(shí)際工作情況下進(jìn)行溫度測(cè)量實(shí)驗(yàn),結(jié)合實(shí)際運(yùn)行時(shí)的電壓電流曲線,給出模塊的總損耗。仿真擬合出熱特性主要參數(shù)瞬態(tài)熱阻,與廠商數(shù)據(jù)手冊(cè)提供的實(shí)測(cè)熱阻曲線進(jìn)行對(duì)比,兩者曲線基本一致,驗(yàn)證了有限元熱分析等效模型合理。分別將有限元等效模型與雙熱阻模型進(jìn)行穩(wěn)態(tài)熱仿真,與實(shí)驗(yàn)對(duì)比分析,得到實(shí)際工況下IGBT模塊溫度場(chǎng)分布及芯片結(jié)溫。分析雙熱阻模型的優(yōu)缺點(diǎn),并提出了改進(jìn)方案。
【作者單位】： 西南交通大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院;
【基金】：中央高�；究蒲袠I(yè)務(wù)費(fèi)專項(xiàng)資金項(xiàng)目(SWJTU14CX086,SWJTU14CX089,SWJTU14CX090)
【分類號(hào)】：TN322.8
【正文快照】： 隨著電力電子器件的發(fā)展,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊已經(jīng)廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、逆變換器、變頻器等高壓大容量電力電子領(lǐng)域[1-2]。隨著IGBT模塊電壓等級(jí)的提升、開關(guān)頻率的提高,致使開關(guān)管的損耗也不斷上升,模塊內(nèi)部的發(fā)熱量也越來(lái)越高。IGBT的工作特性受溫度影響較大,半導(dǎo)

【相似文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：1316549