本文關(guān)鍵詞：寬帶隙異質(zhì)結(jié)二極管恢復(fù)特性的數(shù)值模擬及測試　出處：《溫州大學(xué)》2016年碩士論文　論文類型：學(xué)位論文

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【摘要】：本文旨在運(yùn)用計(jì)算機(jī)建模、仿真技術(shù)進(jìn)行研究寬帶隙二極管的正向恢復(fù)特性特性、正向I-V特性,以及運(yùn)用計(jì)算機(jī)技術(shù)設(shè)計(jì)一款適用、精確度高、智能化的二極管反向恢復(fù)時間測試系統(tǒng)。具體安排如下:首先運(yùn)用Matlab模擬仿真了GaN/SiC異質(zhì)結(jié)的正向恢復(fù)過程。分析了異質(zhì)結(jié)的外因(外加電流變化率、溫度等)及內(nèi)因(N區(qū)摻雜濃度、電子遷移率等)對異質(zhì)結(jié)正向恢復(fù)峰值電壓和正向恢復(fù)時間的影響,對比了GaN/6H-SiC、GaN/4H-SiC、GaN/3C-SiC三種異質(zhì)結(jié)的正向恢復(fù)過程。結(jié)果表明,前述內(nèi)、外因素對GaN/SiC異質(zhì)結(jié)的正向恢復(fù)特性有明顯影響,可通過調(diào)節(jié)各參數(shù)以優(yōu)化GaN/SiC異質(zhì)結(jié)的正向恢復(fù)過程。然后利用Matlab模擬仿真了GaN/SiC異質(zhì)結(jié)的正向I-V特性。分析了溫度對正向C-V特性的影響,同時分析了溫度、P區(qū)摻雜濃度和P區(qū)載流子電子的壽命對異質(zhì)結(jié)正向I-V特性的影響。模擬結(jié)果表明,當(dāng)外加正向電壓較大(約2V)時,正向電流主要取決于由N區(qū)向P區(qū)注入的電子電流,同時溫度等因素對GaN/SiC異質(zhì)結(jié)的正向I-V特性有較大的影響,可通過調(diào)節(jié)各參數(shù)以優(yōu)化GaN/SiC異質(zhì)結(jié)的正向I-V特性。最后介紹了二極管的反向恢復(fù)時間trr測試系統(tǒng)。制定了二極管的反向恢復(fù)時間測試儀器的電路系統(tǒng)方案以及控制流程,參與完成二極管反向恢復(fù)時間測試系統(tǒng)的硬件電路。詳細(xì)分析了各部分硬件電路的設(shè)計(jì)以及功能,并通過實(shí)驗(yàn)測試驗(yàn)證了測試系統(tǒng)的有效性(目前GaN/SiC異質(zhì)結(jié)二極管實(shí)際成品并不存在,因此測試所用二極管均為其他二極管)。
【學(xué)位授予單位】：溫州大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號】：TN31;TP391.9

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1 趙少云;寬帶隙異質(zhì)結(jié)二極管恢復(fù)特性的數(shù)值模擬及測試[D];溫州大學(xué);2016年

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本文編號：1309245