本文關(guān)鍵詞：功率MOSFET壽命模型綜述

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【摘要】：MOSFET是實現(xiàn)電力電子裝置功能的核心器件,但其壽命短是制約電力電子系統(tǒng)可靠性的關(guān)鍵因素。由老化造成的MOSFET失效分為封裝失效和參數(shù)漂移失效,前者由MOSFET制造工藝及材料導(dǎo)致的缺陷在工作環(huán)境中惡化而產(chǎn)生,后者為器件在使用過程中其內(nèi)部微觀退化機制在宏觀參數(shù)的體現(xiàn)。對目前已有的MOSFET壽命相關(guān)的研究成果進行總結(jié),分析了MOSFET的各類失效模式,并建立了各類失效模式下MOSFET壽命模型;并進一步總結(jié)了各類失效模式下壽命模型的失效判據(jù)及其各類壽命預(yù)測模型實驗驗證方法。
【作者單位】： 武漢大學(xué)電氣工程學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金重點資助項目(51637007);國家自然科學(xué)基金資助青年項目(51507118)~~
【分類號】：TN386
【正文快照】： 引言 金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)具有電阻低、驅(qū)動耗散功率小等特點,其高頻特性更是滿足了逆變器的需求,在中小功率等級電能轉(zhuǎn)換被廣泛應(yīng)用,是實現(xiàn)電力電子裝置基本功能的核心器件[1]。Si C技術(shù)的出現(xiàn)進一步擴

【相似文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 蔡少英;元器件壽命模型(摘要)[J];電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗;1995年04期

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本文編號：1307507