本文關鍵詞：功率MOSFET壽命模型綜述

  更多相關文章： MOSFET 壽命模型 封裝失效 參數(shù)漂移失效

【摘要】：MOSFET是實現(xiàn)電力電子裝置功能的核心器件,但其壽命短是制約電力電子系統(tǒng)可靠性的關鍵因素。由老化造成的MOSFET失效分為封裝失效和參數(shù)漂移失效,前者由MOSFET制造工藝及材料導致的缺陷在工作環(huán)境中惡化而產(chǎn)生,后者為器件在使用過程中其內(nèi)部微觀退化機制在宏觀參數(shù)的體現(xiàn)。對目前已有的MOSFET壽命相關的研究成果進行總結,分析了MOSFET的各類失效模式,并建立了各類失效模式下MOSFET壽命模型;并進一步總結了各類失效模式下壽命模型的失效判據(jù)及其各類壽命預測模型實驗驗證方法。
【作者單位】： 武漢大學電氣工程學院;
【基金】：國家自然科學基金重點資助項目(51637007);國家自然科學基金資助青年項目(51507118)~~
【分類號】：TN386
【正文快照】： 引言 金屬-氧化物半導體場效應晶體管MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)具有電阻低、驅(qū)動耗散功率小等特點,其高頻特性更是滿足了逆變器的需求,在中小功率等級電能轉(zhuǎn)換被廣泛應用,是實現(xiàn)電力電子裝置基本功能的核心器件[1]。Si C技術的出現(xiàn)進一步擴

【相似文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 蔡少英;元器件壽命模型(摘要)[J];電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗;1995年04期

，

本文編號：1307507