本文關鍵詞：高壓P-i-N二極管關斷瞬態(tài)綜合失效機理分析

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【摘要】：針對商用高電壓大功率多芯片P-i-N二極管在鉗位型電感負載電路中,在額定電氣參數(shù)下發(fā)生的瞬態(tài)失效現(xiàn)象,分別從電路布局和器件機理層面討論了各因素對二極管芯片失效的作用影響。首先,通過考察二極管模塊內(nèi)部失效芯片的位置和故障波形,得出整個電力電子裝置的可靠性是由失效風險最高的局部芯片決定而非由功率模塊的堅固性決定。其次,根據(jù)二極管芯片在深度動態(tài)雪崩情況下所產(chǎn)生絲狀電流的現(xiàn)象,得出由芯片電流密度不均所引發(fā)的結溫-電流密度正反饋機制是導致多芯片功率模塊失效的最終原因。最后,根據(jù)失效表征與測試條件,提出了由綜合失效誘因導致的多芯片模塊動態(tài)失效新模式。結論表明本文討論的大功率多芯片模塊所發(fā)生的失效現(xiàn)象,是多失效誘因綜合作用所引發(fā)的,而非單一因素超限的結果。
【作者單位】： 浙江大學電氣工程學院;
【基金】：國家重點基礎研究發(fā)展計劃(973計劃)資助項目(2014CB247400)
【分類號】：TN312.4
【正文快照】： 0引言以絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)為代表的全控型器件因其開關速度高、導通損耗低以及過電流能力強等優(yōu)點被廣泛應用于機車牽引、風力發(fā)電和柔性直流輸電等高電壓大功率電力變換應用場合[1,2]。據(jù)調研表明,工業(yè)應用中功率器件的失效率在失效元器件里面占有率最高,占總失效率的，

本文編號：1284190